Красильник З.Ф.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Овчинников С.Г.
Кафедра ЮНЕСКО "Новые материалы и технологии", Красноярский государственный технический университет, Красноярск, Россия
7
Кауль А.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Горбенко О.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Головин Ю.И.
Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия
5
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Смирнов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Пчеляков О.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Леманов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Богатырева Г.П.
Институт сверхтвердых материалов Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Knap W.
GES--UMR, CNRS--Universite Montpellier 2, Montpellier, France
4
Charnaya E.V.
Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan Taiwan
4
Аврамов П.В.
Center for Biological and Environmental Nanotechnology, Rice University, Houston, Texas, USA
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Александров К.С.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Абросимова Г.Е.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
4
Куприянов М.Ф.
Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону, Россия
4
Вдовин В.И.
Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
4
Парфеньева Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крыжков Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Глазков В.П.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Егоров В.А.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
3
Дунаевский С.М.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3
Грачев А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Козленко Д.П.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
3
Цырлин Г.Э.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
3
Матвеев Д.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Тонких А.А.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
3
Молоканов В.В.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Буш А.А.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
3
Савенко Б.Н.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
3
Хоник В.А.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
3
Королева Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Соколов Л.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Возняковский А.П.
ФГУП "Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. С.В. Лебедева", Санкт-Петербург, Россия
3
Прокофьев А.В.
Физический институт Университета им. И.-В. Гёте Франкфурта-на-Майне, Франкфурт-на-Майне, Германия
3
Тийс С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Тетельбаум Д.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Lusakowski J.
GES--UMR, CNRS--Universite Montpellier 2, Montpellier, France
3
Ассмус В.
Физический институт Университета им. И.-В. Гёте Франкфурта-на-Майне, Франкфурт-на-Майне, Германия
3
Валах М.Я.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Светлов С.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Векслер Д.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Плещев В.Г.
Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
3
Долматов В.Ю.
ЗАО "Алмазный центр", Санкт-Петербург, Россия
3
Чалков В.Ю.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Бондарь В.С.
Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук