Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2004, выпуск 10 » Статья стр. 1770
<<<>>>
Безэталонный РФЭС способ определения химического состава многофазных веществ и его применение в исследовании нанопленок плазменного оксида InP
Микушкин В.М.1, Сысоев С.Е.1, Гордеев Ю.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
PDF версия
Предложена модификация метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) для анализа фазового химического состава вещества. В отличие от известного РФЭС метода К. Зигбана предлагаемый способ является безэталонным и позволяет с более высокой надежностью и точностью определять химический состав сложных многофазных соединений. Одновременно с химическим составом предложенный способ дает значения энергий связи остовных уровней атомов в химических фазах исследуемого вещества, которые ранее определялись в отдельных экспериментах на эталонных образцах. Основная идея предлагаемого подхода заключается в проведении самосогласованного разложения фотоэлектронных линий двух или более элементов. Энергии связи в этом разложении играют роль свободных параметров. Условие совпадения содержания одноименных химических фаз, определяемых из разложения спектров двух и более элементов, приводит к единственности решения задачи. Предложенный способ использован в исследовании химического состава нанопленок плазменного оксида InP, содержащего несколько химических фаз. Показано, что для улучшения качества пленки и интерфейса необходимо обогащение окисляемой поверхности фосфором. Работа выполнена при финансовой поддержке МНТП России (программа "Физика твердотельных наноструктур"), Президиума РАН (программа Низкоразмерные квантовые структуры").
  1. К. Зигбан, К. Нордлинг, А. Фальман, Р. Нордберг, К. Хамрин, Я. Хедман, Г. Йоханссон, Т. Бергмарк, С. Карлссон, И. Линдгрен, Б. Линдберг. Электронная спектроскопия. Мир, М. (1971). 493 с.; K. Siegban, C. Nordling, A. Fahlman, R. Nordberg, K. Hamrin, J. Hedman, G. Johansson, T. Bergmark, S.-E. Karlsson, I. Lindgren, B. Lindberg. Atomic, Molecular and Solid State Structure Studied by Means of Electron Spectroscopy. Nova Acta Regiae Societatis Scientarium Upsalien. Uppsala (1967). Ser. IV. Vol. 20
  2. М.П. Сих, Д. Бриггс. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фото-электронной спектроскопии. Мир, М. (1987). 598 с
  3. Д. Вудраф, Т. Денчар. Современные методы исследования поверхности. Мир, М. (1989). 540 с
  4. Ю.С. Гордеев, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев. Патент РФ N 2170421. Б.И. N 19 (2001)
  5. Э.М. Шер, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев, Б.Т. Мелех. ЖТФ 70, 78 (2000)
  6. Е.Д. Белякова, А.В. Габараева, А.Т. Горелёнок, Р.В. Каржавин, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев, Н.М. Шмидт. Поверхность 7, 88 (1992)
  7. G. Hollinger, E. Berngignat, J. Joseph, Y. Robach. J. Vac. Sci. Tech. A 3, 2082 (1985)
  8. Maria Faur, Mircea Faur, D.T. Jayne, M. Goradia, C. Goradia. Surface and Interface Analysis 15, 641 (1990)
  9. H. Ishii, H. Hasegawa, A. Ishii, H. Ohno. Appl. Surf. Sci. 41 / 42, 390 (1989)
  10. S.M. Thurgate, N.E. Erickson. J. Vac. Sci. Tech. A 8, 3669 (1990)
  11. C.W. Wilmsen, R.W. Kee. J. Vac. Sci. Tech. 15, 1513 (1978)
  12. I.K. Han, E.K. Kim, J.I. Lee, S.H. Kim, K.N. Kang, Y. Kim, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Phys. 81, 6986 (1997)
  13. Y.S. Lee, W.A. Anderson. J. Appl. Phys. 65, 10, 4051 (1989)
  14. N. Shibata, H. Ikoma. Jpn. J. Appl. Phys. 31, part 1, 12A, 3976 (1992)
  15. L.L. Kazmerski, P.J. Ireland, P. Sheldon, T.L. Chu, S.S. Chu, C.L. Li. J. Vac. Sci. Tech. 17, 1061 (1980)
  16. A. Guivarc'h, H. L'Haridon, G. Pelous. J. Appl. Phys. 55, 4, 1139 (1984)
  17. Yun Sun, Zhi Liu, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1, 219 (2003)
  18. P. Legay, F. Caillet, J. Decobert, L. Leprince, G. Le Roux, M. Quillec. J. Appl. Phys. 85, 4, 2428 (1999)
  19. D. Pulver, C.W. Wilmsen, D. Niles, R. Kee. J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1, 207 (2001)
  20. J. van de Ven, J.J.M. Binsma, N.M.A. de Wild. J. Appl. Phys. 67, 12, 7568 (1990)
  21. Prakash N.K. Deenapanray, A. Martin, P. Lever, C. Jagadish. Electrochem. Solid State Lett. 5, 6, G41 (2002)
  22. Л.С. Берман, А.Д. Габараева, А.В. Каманин, И. Каримов, Л.Е. Клячкин, Л.В. Шаронова, Н.М. Шмидт. Письма в ЖТФ 22, 2, 65 (1996)
  23. A.T. Gorelenok, N.D. Ilyinskaya, I.A. Mokina, N.M. Shmidt. Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques / Ed. by M.E. Levinstein, M.S. Shur. John Wiley \& Sons Inc., N. Y. (1997). 195 p
  24. M.P. Besland, S. Jourba, M. Lambrinos, P. Louis, P. Viktorovich, G. Hollinger. J. Appl. Phys. 80, 5, 3100 (1996)
  25. J. Henry, J. Livingstone. Design, Fabrication, and Characterization of Photonic Devices II / Ed. by Marek Osinski, Soo-Jin Chua, Akira Ishibashi. Proc SPIE 4594, 447 (2001)
  26. R. Touhami, S. Ravelet, M.C.E. Yagoub, H. Baudrand. J. Appl. Phys. 94, 10, 6574 (2003)
  27. Sh. Morikita, H. Ikoma. J. Vac. Sci. Tecnol. A 21, 1, 226 (2003)
  28. T. Motegy, J. Tomita, H. Ikoma. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 38, 4B, L420 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme