Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Безэталонный РФЭС способ определения химического состава многофазных веществ и его применение в исследовании нанопленок плазменного оксида InP
Микушкин В.М.1, Сысоев С.Е.1, Гордеев Ю.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Предложена модификация метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) для анализа фазового химического состава вещества. В отличие от известного РФЭС метода К. Зигбана предлагаемый способ является безэталонным и позволяет с более высокой надежностью и точностью определять химический состав сложных многофазных соединений. Одновременно с химическим составом предложенный способ дает значения энергий связи остовных уровней атомов в химических фазах исследуемого вещества, которые ранее определялись в отдельных экспериментах на эталонных образцах. Основная идея предлагаемого подхода заключается в проведении самосогласованного разложения фотоэлектронных линий двух или более элементов. Энергии связи в этом разложении играют роль свободных параметров. Условие совпадения содержания одноименных химических фаз, определяемых из разложения спектров двух и более элементов, приводит к единственности решения задачи. Предложенный способ использован в исследовании химического состава нанопленок плазменного оксида InP, содержащего несколько химических фаз. Показано, что для улучшения качества пленки и интерфейса необходимо обогащение окисляемой поверхности фосфором. Работа выполнена при финансовой поддержке МНТП России (программа "Физика твердотельных наноструктур"), Президиума РАН (программа Низкоразмерные квантовые структуры").
- К. Зигбан, К. Нордлинг, А. Фальман, Р. Нордберг, К. Хамрин, Я. Хедман, Г. Йоханссон, Т. Бергмарк, С. Карлссон, И. Линдгрен, Б. Линдберг. Электронная спектроскопия. Мир, М. (1971). 493 с.; K. Siegban, C. Nordling, A. Fahlman, R. Nordberg, K. Hamrin, J. Hedman, G. Johansson, T. Bergmark, S.-E. Karlsson, I. Lindgren, B. Lindberg. Atomic, Molecular and Solid State Structure Studied by Means of Electron Spectroscopy. Nova Acta Regiae Societatis Scientarium Upsalien. Uppsala (1967). Ser. IV. Vol. 20
- М.П. Сих, Д. Бриггс. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фото-электронной спектроскопии. Мир, М. (1987). 598 с
- Д. Вудраф, Т. Денчар. Современные методы исследования поверхности. Мир, М. (1989). 540 с
- Ю.С. Гордеев, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев. Патент РФ N 2170421. Б.И. N 19 (2001)
- Э.М. Шер, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев, Б.Т. Мелех. ЖТФ 70, 78 (2000)
- Е.Д. Белякова, А.В. Габараева, А.Т. Горелёнок, Р.В. Каржавин, В.М. Микушкин, С.Е. Сысоев, Н.М. Шмидт. Поверхность 7, 88 (1992)
- G. Hollinger, E. Berngignat, J. Joseph, Y. Robach. J. Vac. Sci. Tech. A 3, 2082 (1985)
- Maria Faur, Mircea Faur, D.T. Jayne, M. Goradia, C. Goradia. Surface and Interface Analysis 15, 641 (1990)
- H. Ishii, H. Hasegawa, A. Ishii, H. Ohno. Appl. Surf. Sci. 41 / 42, 390 (1989)
- S.M. Thurgate, N.E. Erickson. J. Vac. Sci. Tech. A 8, 3669 (1990)
- C.W. Wilmsen, R.W. Kee. J. Vac. Sci. Tech. 15, 1513 (1978)
- I.K. Han, E.K. Kim, J.I. Lee, S.H. Kim, K.N. Kang, Y. Kim, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Phys. 81, 6986 (1997)
- Y.S. Lee, W.A. Anderson. J. Appl. Phys. 65, 10, 4051 (1989)
- N. Shibata, H. Ikoma. Jpn. J. Appl. Phys. 31, part 1, 12A, 3976 (1992)
- L.L. Kazmerski, P.J. Ireland, P. Sheldon, T.L. Chu, S.S. Chu, C.L. Li. J. Vac. Sci. Tech. 17, 1061 (1980)
- A. Guivarc'h, H. L'Haridon, G. Pelous. J. Appl. Phys. 55, 4, 1139 (1984)
- Yun Sun, Zhi Liu, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1, 219 (2003)
- P. Legay, F. Caillet, J. Decobert, L. Leprince, G. Le Roux, M. Quillec. J. Appl. Phys. 85, 4, 2428 (1999)
- D. Pulver, C.W. Wilmsen, D. Niles, R. Kee. J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1, 207 (2001)
- J. van de Ven, J.J.M. Binsma, N.M.A. de Wild. J. Appl. Phys. 67, 12, 7568 (1990)
- Prakash N.K. Deenapanray, A. Martin, P. Lever, C. Jagadish. Electrochem. Solid State Lett. 5, 6, G41 (2002)
- Л.С. Берман, А.Д. Габараева, А.В. Каманин, И. Каримов, Л.Е. Клячкин, Л.В. Шаронова, Н.М. Шмидт. Письма в ЖТФ 22, 2, 65 (1996)
- A.T. Gorelenok, N.D. Ilyinskaya, I.A. Mokina, N.M. Shmidt. Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques / Ed. by M.E. Levinstein, M.S. Shur. John Wiley \& Sons Inc., N. Y. (1997). 195 p
- M.P. Besland, S. Jourba, M. Lambrinos, P. Louis, P. Viktorovich, G. Hollinger. J. Appl. Phys. 80, 5, 3100 (1996)
- J. Henry, J. Livingstone. Design, Fabrication, and Characterization of Photonic Devices II / Ed. by Marek Osinski, Soo-Jin Chua, Akira Ishibashi. Proc SPIE 4594, 447 (2001)
- R. Touhami, S. Ravelet, M.C.E. Yagoub, H. Baudrand. J. Appl. Phys. 94, 10, 6574 (2003)
- Sh. Morikita, H. Ikoma. J. Vac. Sci. Tecnol. A 21, 1, 226 (2003)
- T. Motegy, J. Tomita, H. Ikoma. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 38, 4B, L420 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
