Проведены измерения динамического диэлектрического отклика и нелинейной диэлектрической восприимчивости K_1-xLi_xTaO₃ (x=0.01, 0.016 и 0.03) в постоянном электрическом поле для области температур 4=< T=< 150 K. Обнаружено, что в образцах с двумя меньшими концентрациями лития электрическое поле E уменьшает диэлектрическую восприимчивость varepsilon'. В образце с концентрацией лития x=0.03 наблюдалось как уменьшение (E>1 kV / cm), так и увеличение (E<0.5 kV / cm) восприимчивости. Установлено, что наблюдаемая зависимость положения максимума varepsilon' от температуры и частоты измерительного поля в образцах с меньшей концентрацией примесей лития (x=0.01, 0.016) удовлетворяет закону Аррениуса, а в образцах с большей концентрацией примесей (x=0.03) - закону Фогеля-Фулчера. Теоретическое описание, выполненное в рамках теории случайного поля, подтвердило найденные экспериментально закономерности и позволило сделать вывод о том, что закон Аррениуса характерен для дипольного стекла, а закон Фогеля-Фулчера - для смешанной сегнетостекольной фазы с сосуществованием ближнего и дальнего полярного порядка. Таким образом, измерения диэлектрического отклика можно использовать для идентификации фазы сегнетостекла в любом разупорядоченном сегнетоэлектрике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.