Вышедшие номера
Диэлектрический отклик на изменение температуры и электрическое поле для слоя (1000 nm)SrTiO3, выращенного эпитаксиально на (001)La0.67Ca0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: Yu.Boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследованы структуры и диэлектрические параметры промежуточного слоя (1000 nm)SrTiO3 в трехслойной гетероструктуре (001)SrRuO3||(001)SrTiO3||(001) La0.67Ca0.33MnO3, сформированной на подложке (001)(LaAlO3)0.3+(Sr2AlTaO6)0.7. Оба оксидных электрода, так же как и слой из титаната стронция, выращены эпитаксиально --- "куб на куб". Параметр элементарной ячейки в слое SrTiO3, измеренный в плоскости подложки (3.908±0.003 Angstrem), практически совпадал с соответствующим параметром (3.909±0.003 Angstrem), измеренным вдоль нормали к ее поверхности. В интервале 70-180 K температурная зависимость вещественной части диэлектрической проницаемости varepsilon' слоя SrTiO3 хорошо аппроксимировалась соотношением (varepsilon')-1~varepsilon0-1C-10(T-TC), где C0 и TC --- соответственно постоянная Кюри и температура Кюри--Вейса для объемных кристаллов титаната стронция, varepsilon0 --- диэлектрическая проницаемость вакуума. Полученные данные по зависимости диэлектрической проницаемости пленок SrTiO3 от температуры позволили оценить эффективную глубину проникновения электрического поля в манганитный электрод (Le~0.5 nm) и связанную с этим емкость (Ce~1·10-6 F/cm2) межфазной границы между слоем (001)SrTiO3 и нижним электродом (001)La0.67Ca0.33MnO3. Частичная финансовая поддержка данных исследований получена в рамках проекта "Низкоразмерные квантовые наноструктуры".
  1. C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B 56, 2--3, 178 (1998)
  2. J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 21, 3034 (1996)
  3. S.K. Streiffer, C. Basceri, C.B. Parker, S.E. Lash, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 86, 8, 4565 (1999)
  4. Y.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 3--4, 250 (2002)
  5. N.A. Pertsev, A.K. Tagantsev, N. Setter. Phys. Rev. B 61, 2, R 825 (2000)
  6. W.J. Merz. Phys. Rev. bf 91, 3, 513 (1953)
  7. R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 5, 2124 (1972)
  8. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3-4, 300 (2000)
  9. M. Tachiki, M. Noda, K. Yamada, T. Kobayashi. J. Appl. Phys. 83, 10, 5351 (1998)
  10. Yu. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 80, 24, 4603 (2002)
  11. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 9, 4357 (1971)
  12. C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 7, 4032 (2000)
  13. Спецификация компании Кристек, поставившей подложки LSATO
  14. R.W.J. Wyckoff. Crystal Structure. 2nd edition V. 2. Interscience Publ., N.Y. (1964). P. 394
  15. Yu.A. Boikov, D. Erts, T. Claeson. Mater. Sci. Eng. B 79, 2, 133 (2001)
  16. J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56, 2--3, 152 (1998)
  17. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 6, 1040 (2003)
  18. R.A. Rao, Q. Gan, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 71, 9, 1171 (1997)
  19. E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 11, 2351 (1990)
  20. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 4, 649 (2003)
  21. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
  22. Y. Tokura. In: Colossal Magnetoresistive Oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach Science Publ., Amsterdam, The Netherlands (2000). P. 1
  23. A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 5, 1321 (1996)
  24. H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 2, 265 (1964)
  25. J.G. Simmons. Appl. Phys. Lett. 6, 3, 54 (1965)
  26. A.V. Boris, N.N. Kovaleva, A.V. Bazhenov, A.V. Samoilov, N.-C. Yeh, R.P. Vasquez. J. Appl. Phys. 81, 8, 5756 (1997)
  27. U.P. Wad, A.S. Ogale, S.B. Ogale, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 81, 18, 3422 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.