Вышедшие номера
Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия)
Захаров М.А.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa@math.ipme.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

В рамках классической теории зарождения-роста исследуются термодинамика и кинетика переключения многоосных сегнетоэлектриков. Изучена начальная стадия переключения 180o и 90o доменов в тетрагональной, ромбической и тригональной фазах. На основании многомерной кинетической теории фазовых переходов первого рода описана начальная стадия переключения сегнетоэлектрических кристаллов в самом общем случае, когда существует трехмерный рост (по радиусу и высоте) переполяризованных доменов. Получено выражение для работы образования зародыша в окрестности седловой точки активационного барьера в пространстве размеров и форм, найдено выражение, описывающее зависимость критического размера домена от величины переключающего поля. С помощью известной процедуры двумерное кинетическое уравнение Фоккера--Планка сведено к одномерному уравнению Зельдовича, получено стационарное решение уравнения Зельдовича, выведены коэффициенты диффузии в пространстве размеров при нормальном и послойном механизмах доменного роста и найдена основная характеристика начальной стадии переключения --- стационарный поток переполяризованных доменов как функция приложенного поля. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-01-00574), Российского центра "Интеграция" (проекты N А0151 и Б0056), программы "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19), гранта Минпромнауки (проект N 40.010.1.1195), государственный контракт N НФМ-1/03, НШ-2288.2003.1, программы "Университеты России" (проект N УР.01.01.024) и программы РФФИ-NWO (проект N 047.011.2001.011).
  1. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80; 1, 88; 2, 312 (2001)
  2. С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332; 12, 2193 (2002)
  3. В.А. Шнейдман. ЖЭТФ 91, 2(8), 520 (1986)
  4. Ф.М. Куни, А.А. Мелихов. ТМФ 81, 2, 247 (1989)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
  6. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с
  7. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
  8. Я.Б. Зельдович. ЖЭТФ 12, 11/12, 525 (1942)
  9. Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
  10. Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
  11. M. Hayashi. J. Phys. Soc. Jap. 33. 616 (1972)
  12. E.V. Burtsev, S.P. Chervonobrodov. Ferroelectrics 45, 97 (1982)
  13. M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
  14. A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
  15. R.E. Nettleton. J. Appl. Phys. 38, 7, 2775 (1967)
  16. А.С. Сонин, Б.А. Струков. Введение в сегнетоэлектричество. Высш. шк., М. (1970). 270 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.