"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава
Маслов В.Н.1,2,3,4, Крымов В.М.1,2,3,4, Блашенков М.Н.1,2,3,4, Головатенко А.А.1,2,3,4, Николаев В.И.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Лабтехноком"
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: maslov_vn@hotmail.com
Поступила в редакцию: 24 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Проведены исследования применимости ряда недрагоценных материалов для роста кристаллов beta-Ga2O3 методом свободной кристаллизации в тигле. Показана возможность выращивания кристаллов beta-Ga2O3 в тиглях из монокристаллического сапфира. Исследованы основные закономерности роста и свойства полученных кристаллов.
  1. Hideo Aida, Kengo Nishiguchi, Hidetoshi Takeda et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2008. V. 47(11). P. 8506
  2. Galazka Z., Uecker R., Irmscher K. et al. // Cryst. Res. Technol. 2010. V. 45(12). P. 1229
  3. Shun Ito 1, Kenichiro Takeda 1 // Japan. J. Appl. Physics. 2012. V. 9(3). P. 519
  4. http://www.supashop.ch/news/artikel/japanese-firms-use-gallium-oxide-produce- improved-white-led/102450/
  5. Nogales E., Mendez B., Piqueras J. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 113 112
  6. Guzman-Navarro G., Herrera-Zaldivar M., Valenzuela-Benavides J., Maestre D. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. P. 034 315
  7. Антонов П.И., Крымов В.М., Москалев А.В. // Наука производству. 2005. N 2. С. 36--38
  8. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. // Энциклопедия сапфира. Харьков: Ин-т монокристаллов, 2004. С. 508

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.