Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al
Рамазанов Ш.М.1, Курбанов М.К.1, Сафаралиев Г.К.1, Билалов Б.А.1, Каргин Н.И.1, Гусев А.С.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала Дагестанский государственный технический университет, Махачкала Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва
Email: ramazanv@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Новым способом получены эпитаксиальные слои твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x с составами x~ 0.12 и x=0.64 без макроскопических структурных искажений. Установлено, что зависимость параметров кристаллических решеток эпитаксиальных пленок от их состава подчиняется закону Вегарда с точностью ~ 0.03. Это подтверждает образование твердых растворов изоморфного замещения в системе SiC-AlN.
- Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 8. С. 1437--1447
- Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 17. С. 1043--1045
- Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К., Рамазанов Ш.М. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. N 12. С. 1--3
- Гусейнов М.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 6. С. 841--844
- Рамазанов Ш.М., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x: Патент на изобретение N 2482229, приоритет от 26.12.2011
- Jin-Cheng Zheng et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 11. P. 1643--1645
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук