"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiOx/Si-подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110061
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0791-2020-0003
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0791-2020-0005
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мегасайенс - XFEL, 18-02-40006
Гридчин В.О.1, Котляр К.П.1, Резник Р.Р.2, Дворецкая Л.Н.1, Парфеньева А.В.3, Мухин И.С.1,2, Цырлин Г.Э1,2,3,4,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: gridchinvo@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2020 г.
Принята к печати: 27 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.

Продемонстрирована возможность селективного роста упорядоченных массивов нитевидных нанокристаллов GaN с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии на процессированных методом фотолитографии по микросферическим линзам подложках SiOx/Si без предварительного формирования затравочных слоев. Исследовано влияние температуры подложки на морфологические свойства полученных массивов нитевидных нанокристаллов. Экспериментально выявлены оптимальные ростовые параметры, обеспечивающие режим селективного роста нитевидных нанокристаллов GaN. Ключевые слова: GaN, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, морфологические свойства, селективный рост, микросферная литография.
  1. Bi W.W., Kuo H.H., Ku P., Shen B. Handbook of GaN semiconductor materials and devices. Florida: CRC Press, 2017. 686 p
  2. Дубровский В.Г., Цырли Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585--1628. [Пер. версия: 10.1134/s106378260912001x]
  3. Consonni V. // Phys Status Solidi RRL. 2013. V. 7. N 10. P. 699--712. DOI: 10.1002/pssr.201307237
  4. Дубровский В.Г., Тимофеева М.А. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 2. С. 61--67
  5. Calarco R., Stoica T., Brandt O., Geelhaar L. // J. Mater. Res. 2011. V. 26. N 17. P. 2157--2168. DOI: 10.1557/jmr.2011.211
  6. Fernandez-Garrido S., Auzelle T., Lahnemann J., Wimmer K., Tahraoui A., Brandt O. // Nanoscale Adv. 2019. V. 1. N 5. P. 1893--1900. DOI: 10.1039/c8na00369f
  7. Schuster F., Hetzi M., Weiszer S., Garrido J.A., Mata M., Magen C., Arbiol J., Stutzmann M. // Nano Lett. 2015. V. 15. N 3. P. 1773--1779. DOI: 10.1021/nl504446r
  8. Roshko A., Brubaker M., Blanchard P., Harvey T., Bertness K.A. // Crystals. 2018. V. 8. N 9. P. 366. DOI: 10.3390/cryst8090366
  9. Bolshakov A.D., Fedorov V.V., Shugurov K.Yu., Mozharov A.M., Sapunov G.A., Shtrom I.V., Mukhin M.S., Uvarov A.V., Cirlin G.E., Mukhin I.S. // Nanotechnology. 2019. V. 30. N 39. P. 395602. DOI: 10.1088/1361-6528/ab2c0c
  10. Zhang Z., Geng C., Hao Z., Wei T., Yan Q. // Adv. Colloid Interface Sci. 2016. V. 228. P. 105--122. DOI: 10.1016/j.cis.2015.11.012
  11. Dvoretckaia L.N., Mozharov A.M., Fedorov V.V., Bolshakov A.D., Mukhin I.S. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1124. N 2. P. 022042. DOI: 10.1088/1742-6596/1124/2/022042
  12. Bolshako A.D., Dvoretckaia L.N., Fedorov V.V., Sapunov G.A, Mozharov A.M., Shugurov K.Y., Shkoldin V.A., Mukhin M.S., Cirlin G.E., Mukhin I.S // Semiconductors. 2018. V. 52. N 16. P. 2088--2091. DOI: 10.1134/s1063782618160054

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.