Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 20 » Статья стр. 11
<<<>>>
Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале --- возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48385.17925
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100286
Пашковский А.Б.1, Богданов С.А.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru, bogdanov_sa@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Проведена теоретическая оценка влияния локализации электронов верхних долин в узкозонном канале транзисторных гетероструктур AlxGa1-xAs-GaAs с двусторонним легированием на величину всплеска дрейфовой скорости. Показано, что для транзисторных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием, в которых доля электронов, перешедших из узкозонного канала в широкозонный материал, меньше, чем в обычных структурах, за счет локализации электронов верхних долин в узкозонном канале в ряде случаев увеличение дрейфовой скорости может достигать 15%. Исследованный эффект может являться дополнительным механизмом увеличения тока в транзисторах на основе гетероструктур с донорно-акцепторным легированием. Ключевые слова: донорно-акцепторное легирование, верхние долины, узкозонный канал, всплеск дрейфовой скорости.
  1. Glisson T.H., Hauser J.R., Littlejohn M. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 10. P. 5445--5449
  2. Sakamoto R., Akai K., Inoue M. // IEEE Trans. Electron Dev. 1989. V. 36. N 10. P. 2344--2352
  3. Кальфа А.А., Пашковский А.Б. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 3. С. 521--526
  4. Вагидов Н.З., Грибников З.С., Иващенко В.М. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 2. С. 304--311
  5. Вагидов Н.З., Грибников З.С., Иващенко В.М. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 6. С. 1087--1094
  6. Горфинкель В.Б., Шофман С.Г. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 5. С. 793--798
  7. Пашковский А.Б., Новиков С.И., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Мартынов Я.Б. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 17. C. 103--110
  8. Лукашин B.M., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
  9. Shur M. // Electron. Lett. 1976. V. 12. N 23. P. 615--616
  10. Гарматин А.В. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. N 3(377). С. 66--68
  11. Василевский И.С., Виниченко А.Н., Каргин Н.И. // 8-я Междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Мокеровские чтения. Тез. докл. М., 2017. С. 28--29
  12. Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 6. С. 77--84

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme