Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 20 » Статья стр. 15
<<<>>>
Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов
DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100262
Малевская А.В. 1, Задиранов Ю.М. 1, Блохин А.А. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Выполнены исследования формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов на основе гетероструктур А3В5. Изучены режимы обработки поверхности гетероструктур с использованием методов плазмохимического, жидкостного химического и ионно-лучевого травления. Разработана технология создания антиотражающего покрытия на основе слоев ТiOx/SiO2. Достигнуто улучшение параметров адгезии покрытия к поверхности гетероструктуры, а также снижение коэффициента отражения в каскадных солнечных элементах. Ключевые слова: каскадный солнечный элемент, антиотражающее покрытие, гетероструктура A3B5.
  1. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Rumyantsev V.D. // Concentrator photovoltaics / Eds A. Luque, V. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences. 2007. V. 130. P. 25--50
  2. Bett A.W., Dimroth F., Siefer G. // Concentrator photovoltaics / Eds A. Luque, V. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences. 2007. V. 130. P. 67--88
  3. Моро У. Микролитография. М.: Мир, 1990. Ч. 1. 605 с. Ч. 2. 632 с
  4. Малевская А.В., Хвостиков В.П., Солдатенков Ф.Ю., Хвостикова О.А., Власов А.С., Андреев В.М. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 1. С. 12--15. DOI: 10.21883/PJTF.2019.01.47148.17544
  5. Levinson H.J. Principles of lithography. 3rd ed. Washington: SPIE, 2010. 504 p
  6. Константинов Ю.А. Антиотражающие покрытия для солнечных батарей // Научные исследования: от теории к практике. Материалы IV Междунар. науч.-практ. конф. Чебоксары: ЦНС "Интерактив плюс", 2016. С. 198--200
  7. Андреев В.М., Малевская А.В., Ильинская Н.Д., Задиранов Ю.М. Патент N 2687501. 30.05.2018
  8. Suzuki K., Smith B.W. Microlithography. Science and Technology. 2nd ed. Abingdon: Taylor \& Francis Group, 2007. 864 p. DOI: 10.1201/9781420051537

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme