Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100171 
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Email: almaev_alex@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Показана возможность селективного детектирования NO2 в воздухе начиная с концентрации 1 ppm сенсорами на основе тонких пленок Au/WO3 : Au при замене постоянного нагрева облучением диодом с длиной волны максимума интенсивности излучения 400 nm. Активация облучением фотодесорбции на порядок снижает времена отклика сенсоров при воздействии NO2. Установлено, что воздействие высокой влажности в условиях облучения сенсоров при комнатной температуре приводит к повышению отклика на NO2 за счет появления дополнительных центров адсорбции. Отсутствие отклика сенсоров на восстановительные газы и изменение концентрации кислорода в газовой смеси вызвано фотодесорбцией хемосорбированных частиц O2- при взаимодействии с генерируемыми при собственных переходах дырками в приповерхностной части WO3. Ключевые слова: оксид вольфрама, двуокись азота, тонкие пленки, магнетронное распыление, оптическое излучение.
- Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Найден Ю.П., Новиков В.А., Севастьянов Е.Ю., Рудов Ф.В., Черников Е.В. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 3. С. 383--389. doi.org/10.1134/S1063782610030164
- Анисимов О.В., Максимова Н.К., Найден Ю.П., Новиков В.А., Севастьянов Е.Ю., Рудов Ф.В., Черников Е.В. // ЖФХ. 2010. Т. 84. В. 7. С. 1345--1350. doi.org/10.1134/S003602441007023X
- Kabcum S., Kotchasak N., Channei D., Tuantranont A., Wisitsoraat A., Phanichphant S., Liewhiran C. // Sensors Actuators B. 2017. V. 252. P. 523--536. doi.org/10.1016/j.snb.2017.06.011
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 432 с
- Saidi T., Palmowski D., Babicz-Kiewlicz S., Welearegay T.G., El Bari N., Ionescu R., Smulko J., Bouchikhi B. // Sensors Actuators B. 2018. V. 273. P. 1719--1729. doi.org/10.1016/j.snb.2018.07.098
- Espid E., Noce A.S., Taghipour F. // J. Photochem. Photobiol. A. 2019. V. 374. P. 95--105. doi.org/10.1016/j.jphotochem.2019.01.038
- Рембеза С.И., Свистова Т.В., Кошелева Н.Н., Овсянников С.В., Аль Тамееми В.М.К. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 23. С. 32--39. doi.org/10.1134/S1063785015120135
- Gonzalez-Borrero P.P., Sato F., Medina A.N., Baesso M.L., Bento A.C., Baldissera G., Persson C., Niklasson G.A., Granqvist C.G., Ferreira da Silva A. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 061909 (1--3). doi.org/10.1063/1.3313945
- Chizhov A.S., Rumyantseva M.N., Vasiliev R.B., Filatova D.G., Drozdov K.A., Krylov I.V., Marchevsky A.V., Karakulina O.M., Abakumov A.M., Gaskov A.M. // Thin Solid Films. 2016. V. 618. P. 253--262. doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.029
- Чижов А.С., Мордвинова Н.Е., Румянцева М.Н., Крылов И.В., Дроздов К.А., Li X., Гаськов А.М. // ЖНХ. 2018. Т. 63. В. 4. С. 480--486. doi.org/10.1134/S0036023618040071
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
