Моделирование роста и формы нитевидных нанокристаллов в отсутствие катализатора
Большаков А.Д.1, Тимофеева М.А.1, Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет, Старый Петергоф
Email: acr1235@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
Проведено теоретическое исследование роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, получаемых в отсутствие катализатора роста. Построена самосогласованная модель, описывающая одновременно как вертикальный, так и радиальный рост нитевидных нанокристаллов. Показано, что скорость вертикального роста нелинейно зависит от времени на начальном этапе и стремится к постоянному значению на асимптотической стадии. Дана классификация возможных форм нитевидных нанокристаллов в зависимости от условий осаждения. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными по морфологии GaN нитевидных нанокристаллов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния.
- Thelander C., Agarwal P., Brongersma S. et al. //Mater. Today. 2006. V. 9. N 10. P. 28--35
- Rao C.N.R., Deepak F.L., Gundiah G. et al. // Prog. Solid State Chem. 2003. V. 31. P. 5--147
- Li Y., Qian F., Xiang J. et al. // Mater. Today. 2006. V. 9. N 10. P. 18--27
- Wu Y., Yang P. // J. Am. Chem. Soc. 2001. V. 123. N 13. P. 3165--3166
- Tambe M.J., Ren S., Gradecak S. // Nano Lett. 2010. V. 10. N 11. P. 4584--4589
- Wei W., Bao X.-Y., Soci C. et al. // Nano Lett. 2009. V. 9. N 8. P. 2926--2934
- Songmuang R., Landre O., Daudin B. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. N 25. P. 251 902
- Noborisaka J., Motohisa J., Fukui T. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. N 21. P. 213 102
- Guo W., Zhang M., Banerjee A. et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. N 9. P. 3355--3359
- Mandl B., Stangl J., Hilner E. et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. N 11. P. 4443--4449
- Hersee S.D., Sun X., Wang X. // Nano Lett. 2006. V. 6. N 8. P. 1808--1811
- Bertness K.A., Roshko A., Sanford N.A. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 287. P. 522--527
- Galopin E., Largeau L., Patriarche G. et al. // Nanotechnology. 2011. V. 22. P. 245 606
- Bouravleuv A.D., Sibirev N.V., Statkute G. et al. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 1676
- Dubrovskii V.G., Consonni V., Gelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101
- Dubrovskii V.G., Consonni V., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 165 317
- Дубровский В.Г., Тимофеева М.А., Tchernycheva M. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. С. 47--53
- Calarco R., Meijers R.J., Debnath R.K. et al. // Nano Lett. 2007. V. 7. N 8. P. 2248--2251
- Consonni V., Dubrovskii V.G., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 155 313
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук