"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Образование центров окраски в тонком слое кристаллов LiF под действием ВУФ-излучения барьерного разряда
Милютина Е.В.1,2, Петровский А.Ф.1,2, Ракевич А.Л.1,2, Мартынович E.Ф.1,2
1Иркутский филиал Института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия
2Иркутский государственный университет
Email: filial@ilph.irk.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Под действием излучения барьерного разряда в поверхностном слое кристалла фторида лития, использованного в качестве диэлектрического барьера, создаются люминесцирующие центры окраски. По кинетике затухания и спектрам люминесценции установлено, что это F+3- и F2-центры. Основным механизмом генерации структурных дефектов является фотонный механизм, т. е. механизм образования дефектов, вследствие создания электронно-дырочных пар, в результате поглощения фотонов барьерного разряда. Барьерный разряд в различных газах может быть успешно использован для создания на поверхности прозрачных диэлектриков тонких слоев, содержащих центры люминесценции для различных научных и технологических приложений.
  1. Montereali R.M., Bonfigli F., Vincenti M.A., Nichelatti E. // Nuovo Cimento della Societa Italiana di Fisica. C. 2013. V. 36 (2). P. 35--42
  2. Barkusky F., Peth C., Mann K. // Review of Scientific Instruments. 2005. V. 76. P. 105 102
  3. Martynovich E.F., Glazunov D.S., Kuznetsov A.V., Pestriakov E.V., Kirpichnikov A.V., Bagayev S.N. // Optical Sensors. Toronto. Canada. 2011. June 12--15. Paper SWD
  4. Martynovich E.F., Kuznetsov A.V., Kirpochnickov A.V., Pestryakov E.V., Bagayev S.N. // Quantum Electronics. 2013. V. 43. N 5. P. 463--466
  5. Кузнецов А.В., Брюквина Л.И., Мартынович Е.Ф. Носитель трехмерного изображения: Патент RU 135964 U1 от 04.07.2013
  6. Брюквина Л.И., Кузнецов А.В., Мартынович Е.Ф. Оптический носитель информации: Патент RU 136225U1 от 06.05.2013
  7. Самойлович В.Г., Гибалов В.И., Козлов К.В. Физическая химия барьерного разряда. М.: Изд-во МГУ, 1989. 176 с
  8. Мик Д., Крегс Д. Электрический пробой в газах. М.: Изд-во иностр. лит., 1960. 605 с
  9. Мартынович Е.Ф., Балюнов Д.В., Кузнецов А.В., Кирпичников А.В., Трунов В.И., Пестряков Е.В., Багаев С.Н. // Изв. вузов. Физика. 2009. Т. 52. N 12/3. C. 191--197
  10. Мартынович Е.Ф. Центры окраски в лазерных кристаллах. Иркутск: Изд-во ИГУ, 2004. 227 с
  11. Baldacchini G., De Matteis F., Francini R., Grassano U.M., Menchini F., Montereali R.M. // J. Luminescence. 2000. N 87. P. 650--582
  12. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 246 с
  13. Kanayat K., Okayama S. // J. Phys. Printed in Great Britain. D: Appl. Phys. 1972. V. 5. P. 43--58
  14. Эдлен В. // Успехи физических наук. 1966. Т. 89. В. 3. С. 483--510

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.