Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 9 » Статья стр. 48
<<<>>>
Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
Бессолов В.Н.1,2, Коненкова Е.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Мясоедов А.В.1,2, Осипов А.В.1,2, Родин С.Н.1,2, Щеглов М.П.1,2, Феоктистов Н.А.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes@triat.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
PDF версия
Предложен новый метод синтеза полуполярного нитрида галлия на кремниевой подложке с помощью технологии твердофазной эпитаксии нанокристаллов 3C-SiC. Показано, что применение буферных слоев 3C-SiC и AlN позволяет формировать эпитаксиальные слои полуполярного нитрида галлия с отклонением слоя от полярного положения оси c вюрцитного кристалла на угол 48-51o при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания omegatheta~ 24'. Наблюдавшийся изгиб цилиндрического характера в структуре GaN/AlN/3C-SiC/Si(001) объясняется анизотропной деформацией полуполярного GaN на кремнии.
  1. Nakamura S., Fasol G., Pearton S.J. // The Blue Laser Diode. New York: Springer, 2000. P. 510
  2. Seo I.J., Kolmer H., Off J., Sohmer A., Scholz F., Hangleiter A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. R9435--R9438
  3. Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 023 522
  4. Reeber R.R., Wang K. // Mat. Res. Soc. Symp. 2000. V. 622. P. T6.35.1
  5. Liu L., Edgar J.H. // Mater. Sci. Eng. R. 2002. V. 37. P. 61--127
  6. Tanikawa T., Hikisaka T., Honda Y., Yamaguchi M., Sawaki N. // Phys. Status Solidi C. 2008. V. 5. P. 2966--2968
  7. Ravash R., Blasing J., Dadgar A., Krost A. // Appl. Phys. Letter. 2010. V. 97. P. 142 102
  8. Strittmatter A., Northrup J., Johnson N.M., Kisin M.V., Spiberg P., El-Ghoroury H., Usikov A., Syrkin A. // Phys. Status. Solidi. B. 2011. V. 248. P. 561--573
  9. Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Полетаев Н.К., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 1. С. 21--26
  10. Bessolov V.N., Konenkova E.V., Shcheglov M.P., Sharofidinov Sh., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikolaev A.E. // Phys. Status Solidi. C. 2013. V. 10. P. 433--436
  11. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 024 909-1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme