Создание и свойства структур n-ZnO : Al/CoPc/p-Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Национальный университет "Львивська политэхника", Львов,, Украина С.-Петербургский государственный политехнический университет
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Методами вакуумной сублимации фталоцианина кобальта и магнетронного распыления мишени ZnO : Al получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/CoPc/p-Si. Максимальная фоточувствительность реализуется при освещении структур со стороны ZnO и составляет =~ 400 V/W при T=300 K. Обсуждаются механизмы токопереноса и особенности спектров фоточувствительности. Сделан вывод о возможностях применения новых структур в качестве многополосных фотопреобразователей естественного излучения широкого спектрального диапазона.
- Алфёров Ж.И. // ФТП. 1988. Т. 32. В. 1. С. 3--25
- Penmans P., Forrest S.P. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 7. P. 126--129
- Penmans P., Uchida S., Forrest S.R. // Nature. 2003. V. 425. N 4. P. 158--160
- Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Е.И. Теруков, Шаманин В.В., Юрре Т.А. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 9. С. 1056--1060
- Вартанян А.Т. // ЖФХ. 1948. Т. 22. В. 7. С. 769--782
- Eley D.D. // Nature. 1948. V. 162. N 15. P. 819--820
- Sze S.M. Physics of Semiconductors Devices. N.Y.: Willey-Intersci., 1981. 456 p
- Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 337 с
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. А.В. Новоселовой. М.: Наука, 1979. 349 с
- Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 237 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук