Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 22 » Статья стр. 75
<<<>>>
Механизм излучательной рекомбинации в области межзонных переходов в монокристаллическом кремнии
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
PDF версия
Показано, что бимолекулярное описание механизма излучательной рекомбинации в области зона-зонных переходов не объясняет линейной зависимости интенсивности электролюминесценции монокристаллического кремния при 300 K от тока при высоком уровне инжекции и экспоненциальном спаде люминесценции после выключения тока. Результаты экспериментов могут быть объяснены в рамках представлений об экситонном механизме излучательной рекомбинации в кремнии.
  1. Green M.A., Zhao J., Wang A. et al. // Nature. 2001. V. 412. P. 805--808
  2. Wai Lek Ng, Lourenco M.A., Gwilliam R.M. et al. // Nature. 2001. V. 410. P. 192--194
  3. Trupke Th., Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 18. P. 2996--2998
  4. Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 44--48
  5. Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 39--43
  6. Van Roosbroeck W., Shockly W. // Phys. Rev. 1954. V. 94. N 6. P. 1558--1560
  7. Dittrich Th., Timoshenko V., Yu., Rappich J. et al. // J. of Appl. Phys. 2001. V. 90. N 5. P. 2310--2313
  8. Altukhov P.D., Kuzminov E.G. // Solid State Communication. 1999. V. 111. P. 379--384
  9. Trupke T., Green M.A., Wurfel P. et al. // J. of Appl. Phys. 2003. V. 94. V. 8. P. 4930--4937
  10. Блинов Л.М., Боброва Е.А., Вавилов В.С. и др. // ФТТ. 1967. Т. 9. В. 11. С. 33221--33228
  11. Kane D.Е., Swanson R.M. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 1. P. 1193--1197
  12. Смит Р. // Полупроводники. М., 1982. 560 с
  13. Lax B., Neustadter T. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N 9. P. 1148--1154
  14. Tyagi M.S., Van Overstraeten R. / Solid State Electron. 1983. V. 26. N 6. P. 577--597
  15. Вавилов В.С., Нолле Э.Л. // Экситоны в полупроводниках. М., 1971. 144 c
  16. Haynes J.R., Lax M., Flood W.F. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. P. 392--396
  17. Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. C. 10--14
  18. Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 18--20
  19. Sachenko A.V., Kruchenko Yu.V. // Semicond Phys. Quantum Electr. \& Optoelectronics. 2000. V. 3. N 2. P. 150--156
  20. Келдыш Л.В. // Экситоны в полупроводниках. М., 1971. 144 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme