Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм излучательной рекомбинации в области межзонных переходов в монокристаллическом кремнии
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Показано, что бимолекулярное описание механизма излучательной рекомбинации в области зона-зонных переходов не объясняет линейной зависимости интенсивности электролюминесценции монокристаллического кремния при 300 K от тока при высоком уровне инжекции и экспоненциальном спаде люминесценции после выключения тока. Результаты экспериментов могут быть объяснены в рамках представлений об экситонном механизме излучательной рекомбинации в кремнии.
- Green M.A., Zhao J., Wang A. et al. // Nature. 2001. V. 412. P. 805--808
- Wai Lek Ng, Lourenco M.A., Gwilliam R.M. et al. // Nature. 2001. V. 410. P. 192--194
- Trupke Th., Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 18. P. 2996--2998
- Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 44--48
- Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 39--43
- Van Roosbroeck W., Shockly W. // Phys. Rev. 1954. V. 94. N 6. P. 1558--1560
- Dittrich Th., Timoshenko V., Yu., Rappich J. et al. // J. of Appl. Phys. 2001. V. 90. N 5. P. 2310--2313
- Altukhov P.D., Kuzminov E.G. // Solid State Communication. 1999. V. 111. P. 379--384
- Trupke T., Green M.A., Wurfel P. et al. // J. of Appl. Phys. 2003. V. 94. V. 8. P. 4930--4937
- Блинов Л.М., Боброва Е.А., Вавилов В.С. и др. // ФТТ. 1967. Т. 9. В. 11. С. 33221--33228
- Kane D.Е., Swanson R.M. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 1. P. 1193--1197
- Смит Р. // Полупроводники. М., 1982. 560 с
- Lax B., Neustadter T. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N 9. P. 1148--1154
- Tyagi M.S., Van Overstraeten R. / Solid State Electron. 1983. V. 26. N 6. P. 577--597
- Вавилов В.С., Нолле Э.Л. // Экситоны в полупроводниках. М., 1971. 144 c
- Haynes J.R., Lax M., Flood W.F. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. P. 392--396
- Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. C. 10--14
- Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 18--20
- Sachenko A.V., Kruchenko Yu.V. // Semicond Phys. Quantum Electr. \& Optoelectronics. 2000. V. 3. N 2. P. 150--156
- Келдыш Л.В. // Экситоны в полупроводниках. М., 1971. 144 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
