Влияние внутреннего электрического поля на высокотемпературную диффузию мышьяка в варизонных эпитаксиальных слоях CdHgTe
Власов А.П.1, Монастырский Л.С.1, Соколовский Б.С.1, Ильчук Г.А.1
1Львовский национальный университет им. Ив. Франко, Львов, Украина Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
Email: sokol@franko.lviv.ua
Поступила в редакцию: 8 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Исследованы особенности высокотемпературной диффузии мышьяка, имплантированного в варизонные эпитаксиальные слои CdHgTe. Показано, что немонотонный характер диффузионных профилей можно объяснить наличием неоднородного внутреннего электрического поля, связанного с варизонностью эпитаксиальных слоев.
- Алферов Ж.И. // УФН. 2002. Т. 172. N 9. С. 1072--1086
- Kroemer H. // RCA Rev. 1957. V. 18. N 3. P. 332--342
- Dzhafarov T.D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V. 42. N 1. P. 11--45
- Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. Л.: Наука, 1978. 207 с
- Соколовский Б.С. // УФЖ. 1994. Т. 39. N 3--4. С. 327--330
- Монастырский Л.С., Соколовский Б.С. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 12. С. 2143--2145
- Savitsky V.G., Storchun O.P. // Thin Solid Films. 1998. V. 317. P. 105--107
- An S.Y., Kim J.S., Seo D.W., Suh S.H. // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. N 7. P. 683--687
- Lee S.B., Kim D., Stevenson D.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1991. B. 9. N 3. P. 1639--1645
- Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 7099--7101
- Eich D., Ortner K., Groh U., Chen Z.H., Becker C.R., Landwehr G., Fink R., Umbach E. // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. V. 173. N 1. P. 261--267
- Smith F.L. // Proc. IRE. 1958. V. 46. N 6. P. 1049--1051
- Vlasov A., Bogoboyashchyy V., Bonchyk O., Barcz A. // Cryst. Res. Technol. 2004. V. 39. N 1. P. 11--22
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
