Вышедшие номера
Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при освещении белым светом
Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1, Жуков А.Г.1, Сердобинцев А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Для изучения распределения примесей в гетерофазных фотопроводящих пленках CdS-PbS использовался метод вторично-ионной масс-спектрометрии. Обнаружено влияние освещения видимым светом на выход ионов кадмия и свинца: выход ионов кадмия при освещении уменьшался, а свинца увеличивался. Увеличение выхода ионов свинца связывается с тем, что свинец содержится в основном в узкозонных участках фотопроводника, являющихся стоком неравновесных электронов и дырок.