Аналитическая модель диффузионного перераспределения ионно-имплантированной примеси в подзатворной области МОП-транзистора
Бормонтов Е.Н.1, Брязгунов Ю.И.1, Леженин В.П.1
1Воронежский государственный университет
Email: phme22-1@main.vsu.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Решена задача о диффузионном перераспределении имплантированной примеси в системе двуокись кремния - кремний в процессе термического отжига с учетом различия параметров двух сред и сегрегации примеси на границе их раздела.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
- Крупкина Т.Ю. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. N 12. С. 31--34
- Бормонтов Е.Н., Леженин В.П. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. N 5. С. 343--348
- Бормонтов Е.Н., Леженин В.П., Сай И.В. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. N 1. С. 38--41
- Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация / Пер. с нем. М.: Наука, 1983. 425 с
- Ishivara H. et al. Ion implantation in semiconductors. N.Y.: Plenum Press, 1975. 345 p
- Тихонов Н.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Физматгиз, 1951. 680 с
- Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высш. школа, 1989. 320 с
- Bormontov E.N., Lezhenin V.P. // 1997 MRS Spring Meeting. San Francisco. Symposium E. Abstract \# 10425
- Bormontov E.N., Lezhenin V.P., Lukashkov V.V. // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk, 1996. P. 103
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук