"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Аналитическая модель диффузионного перераспределения ионно-имплантированной примеси в подзатворной области МОП-транзистора
Бормонтов Е.Н.1, Брязгунов Ю.И.1, Леженин В.П.1
1Воронежский государственный университет
Email: phme22-1@main.vsu.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Решена задача о диффузионном перераспределении имплантированной примеси в системе двуокись кремния --- кремний в процессе термического отжига с учетом различия параметров двух сред и сегрегации примеси на границе их раздела.
  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
  2. Крупкина Т.Ю. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. N 12. С. 31--34
  3. Бормонтов Е.Н., Леженин В.П. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. N 5. С. 343--348
  4. Бормонтов Е.Н., Леженин В.П., Сай И.В. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. N 1. С. 38--41
  5. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация / Пер. с нем. М.: Наука, 1983. 425 с
  6. Ishivara H. et al. Ion implantation in semiconductors. N.Y.: Plenum Press, 1975. 345 p
  7. Тихонов Н.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Физматгиз, 1951. 680 с
  8. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высш. школа, 1989. 320 с
  9. Bormontov E.N., Lezhenin V.P. // 1997 MRS Spring Meeting. San Francisco. Symposium E. Abstract \# 10425
  10. Bormontov E.N., Lezhenin V.P., Lukashkov V.V. // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk, 1996. P. 103

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.