"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности проявления эффекта дальнодействия в арсенидгаллиевых транзисторных структурах при комбинированном облучении ионами различных масс
Оболенский С.В.1, Скупов В.Д.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.runnet.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Обнаружены аномальные различия в измерениях профилей распределения концентрации носителей заряда по глубине активных областей арсенидгаллиевых (GaAs) структур после облучения со стороны подложки ионами молекулярного водорода и аргона раздельно и в комбинированной последовательности. Наибольший эффект от облучения наблюдался на структурах с повышенным содержанием дефектов в буферном слое. Экспериментальные результаты объясняются перестройкой примесно-дефектных комплексов вблизи интерфейсов под действием упругих волн, возникающих не только при релаксации пиков смещений в зоне торможения ионов, но и вследствие обратного пьезоэффекта.
  1. Оболенский С.В., Скупов В.Д., Фефелов А.Г. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 16. С. 50--53
  2. Оболенский С.В., Скупов В.Д. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 15. С. 1--5
  3. Демидов Е.С., Карзанов В.В., Марков К.А. и др. // ЖЭТФ. 2001. Т. 120. В. 3 (9). С. 637--648
  4. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 5. С. 503--509
  5. Павлов П.В., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ПЖТФ. 1988. Т. 14. В. 3. С. 273--276
  6. Павлов П.В., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ПЖТФ. 1989. Т. 15. В. 22. С. 44--46

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.