Обнаружены аномальные различия в измерениях профилей распределения концентрации носителей заряда по глубине активных областей арсенидгаллиевых (GaAs) структур после облучения со стороны подложки ионами молекулярного водорода и аргона раздельно и в комбинированной последовательности. Наибольший эффект от облучения наблюдался на структурах с повышенным содержанием дефектов в буферном слое. Экспериментальные результаты объясняются перестройкой примесно-дефектных комплексов вблизи интерфейсов под действием упругих волн, возникающих не только при релаксации пиков смещений в зоне торможения ионов, но и вследствие обратного пьезоэффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.