Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 18 » Статья стр. 20
<<<>>>
Фотопреобразователи лазерного излучения для диапазона длин волн 1050-1200 nm на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, выращенной методом газофазной эпитаксии
Минтаиров С.А.1, Калюжный Н.А.1, Малевская А.В.1, Надточий А.М.2, Нахимович М.В.1, Пирогов Е.В.2, Салий Р.А.1, Гаврилов К.А.1, Эполетов В.С.1,  Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Алферовский университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2026 г.
Принята к печати: 9 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 25 июля 2026 г.
PDF версия
Исследовано осаждение согласованных с InP-подложкой эпитаксиальных слоев InGaAsP с краем поглощения в области 1260 nm методом металлоорганической газофазной эпитаксии. На основе таких слоев созданы фотопреобразователи лазерного излучения, эффективно работающие в диапазоне длин волн 1050-1200 nm. Фотопреобразователи продемонстрировали КПД при преобразовании лазерной линии 1175 nm на уровне 51.4 % при плотности падающей мощности порядка 5 W/cm2, а также лазерной линии 1064 nm на уровне 47.2 % при плотности падающей мощности порядка 5.5 W/cm2. Ключевые слова: фотопреобразователь, лазерное излучение, металлоорганическая газофазная эпитаксия, КПД, спектральная чувствительность.
  1. S. Zhang, G. Hu, L. Wang, Y. Liu, L. Wei, Y. Zheng, Y. Shao, Laser Optoelectron. Prog., 59 (17), 1736001 (2022). DOI: 10.3788/LOP202259.1736001
  2. C. Algora, I. Garci a, M. Delgado, R. Pea, Joule, 6 (2), 340 (2022). DOI: 10.5281/zenodo.6620474
  3. P. Jaffe, J. McSpadden, Proc. IEEE, 101 (6), 1424 (2013). DOI: 10.1109/JPROC.2013.2252591
  4. X. Hou, L. Zhou, S. Dong, D. Shi, E. Zhang, G. Chen, H. Zhang, Space Solar Power Wireless Transmis., 2 (2), 73 (2025). DOI: 10.1016/j.sspwt.2025.06.004
  5. J. Grandidier, P. Jaffe, W.T. Roberts, M.W. Wright, A.A. Fraeman, C.A. Raymond, A. Austin, P. Lubin, E.T. Sunada, J.-P. Jones, A. Barchowsky, J.D. Baker, Jet Propulsion, 818, 354 (2021). DOI: 10.3847/25c2cfeb.13f46900
  6. M.-A. Lahmeri, M.A. Kishk, M.-S. Alouini, IEEE Commun. Mag., 60 (5), 50 (2022). DOI: 10.13140/RG.2.2.19370.75202
  7. S. Liu, W. Xu, R. Tan, F. Ning, Z. Li, Photonics, 12 (2), 143 (2025). DOI: 10.3390/photonics12020143
  8. J. Grandidier, A. Akins, D. Crisp, Y.J. Lee, J. Schwartz, R. Bugga, J.L. Hall, S. Limaye, E.J. Brandon, Acta Astron., 211, 376 (2023). DOI: 10.1016/j.actaastro.2023.06.042
  9. M. Emziane, R.J. Nicholas, J. Appl. Phys., 101 (5), 054503 (2007). DOI: 10.1063/1.2709525
  10. H.D. Law, W.W. Ng, K. Nakano, P.D. Dapkus, D.R. Stone, IEEE Electron Dev. Lett., 2 (2), 26 (1981). DOI: 10.1109/EDL.1981.25327
  11. W. Willie, K. Nakano, Y.Z. Liu, P.D. Dapkus, IEEE Trans. Electron Dev., 29 (9), 1449 (1982). DOI: 10.1109/T-ED.1982.20895
  12. N. Singh, C.K.F. Ho, Y.N. Leong, K.E.K. Lee, H. Wang, IEEE Electron Dev. Lett., 37 (9), 1154 (2016). DOI: 10.1109/LED.2016.2591015
  13. J. Yin, Y. Sun, A. Wang, S. Yu, IEEE Electron Dev. Lett., 43 (8), 1291 (2022). DOI: 10.1109/LED.2022.3183833
  14. J. Yin, Y. Sun, S. Yu, Y. Zhao, R. Li, J. Dong, J. Semicond., 41 (6), 062303 (2020). DOI: 10.1088/1674-4926/41/6/062303
  15. S. Fafard, D. Masson, Photonics, 12 (5), 406 (2025). DOI: 10.3390/photonics12050406
  16. C. Pellegrino, H. Helmers, J. Ohlmann, O. Hohn, D. Lackner, in 2023 13th Eur. Space Power Conf. (ESPC) (IEEE, 2023), p. 1-4. DOI: 10.1109/ESPC59009.2023.10298134
  17. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, Solar Energy Mater. Solar Cells, 217, 110710 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110710
  18. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, S.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, AIP Conf. Proc., 2298, 030001 (2020). DOI: 10.1063/5.0032903
  19. К.А. Гаврилов, В.В. Евстропов, Н.А. Калюжный, М.А. Минтаиров, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Е.В. Пирогов, Р.А. Салий, М.З. Шварц, ФТП, 59 (8), 447 (2025). DOI: 10.61011/FTP.2025.08.62185.7973 [K.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, M.V. Nakhimovich, E.V. Pirogov, R.A. Salii, M.Z. Schwarts, Semiconductors, 59 (8), 409 (2025). DOI: 10.61011/SC.2025.08.62597.7973]
  20. L. Huang, H. Zhang, X. Wang, P. Zhou, IEEE Photon. J., 8 (3), 1501407 (2016). DOI: 10.1109/JPHOT.2016.2557300

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme