Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 18 » Статья стр. 11
<<<>>>
Временная динамика шумовой спектроскопии в пленках металлоорганического перовскита с добавлением диоксида титана
нет
Иванов А.М. 1, Ненашев Г.В. 1, Алешин А.Н. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, virison95@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 5 июня 2026 г.
Принята к печати: 5 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 25 июля 2026 г.
PDF версия
Методом шумовой спектроскопии исследованы процессы изменения характеристик при хранении пленок металлоорганического перовскита с добавлением и без добавления двуокиси титана. В результате хранения в течение трех недель плотность токового шума SI возрастает примерно на порядок в обоих типах пленок. Добавление наночастиц TiO2 способствует формированию стабильных проводящих путей и подавлению интенсивного дефектообразования, что делает такие композиты перспективными для создания стабильных мемристорных элементов памяти с улучшенной долговечностью. Характер зависимости тока от напряжения в пленке без TiO2 из линейного становится экспоненциальным. Основным проявляющимся механизмом низкочастотного шума является фликкер-шум. Ключевые слова: металлоорганические перовскиты, диоксид титана, низкочастотный шум, мемристоры.
  1. K.D. Devi, V.S. Pandi, R. Sundar, G. Vishnupriya, Mater. Sci. Semicond. Process., 202, 110149 (2026). DOI: 10.1016/j.mssp.2025.110149
  2. S. Sajid, S. Alzahmi, I.B. Salem, N. Tabet, Y. Haik, I.M. Obaidat, Mater. Renew. Sustain. Energy, 13, 133 (2024). DOI: 10.1007/s40243-024-00255-w
  3. Y. Yuan, A. Tang, J. Semicond., 41, 011201 (2020). DOI: 10.1088/1674-4926/41/1/011201
  4. A.J. Olasoji, J.K. Park, H.J. Lee, Y. Song, D.S. Lee, S.H. Im, Adv. Ind. Eng. Chem., 1, 12 (2025). DOI: 10.1007/s44405-025-00011-2
  5. M. Qammar, B. Zou, J.E. Halpert, J. Semicond., 44, 091604 (2023). DOI: 10.1088/1674-4926/44/9/091604
  6. P.W.C. Ho, F.O. Hatem, H.A.F. Almurib, T.N. Kumar, J. Semicond., 37 (6), 064001 (2016). DOI: 10.1088/1674-4926/37/6/064001
  7. А.Г. Исаев, О.О. Пермякова, А.Е. Рогожин, Микроэлектроника, 52 (2), 127 (2023). DOI: 10.31857/S0544126923700242 [A.G. Isaev, O.O. Permyakova, A.E. Rogozhin, Russ. Microelectron., 52 (2), 74 (2023). DOI: 10.1134/S1063739723700257]
  8. J.-Y. Hong, C.-Y. Chen, D.-C. Ling, I. Marti nez, C. Gonzalez-Ruano, F.G.Aliev, Electronics, 10 (20), 2525 (2021). DOI: 10.3390/electronics10202525
  9. J.-K. Lee, S. Kim, Chaos Soliton. Fract., 173, 113633 (2023). DOI: 10.1016/j.chaos.2023.113633
  10. C. Ding, Y. Ren, Z. Liu, N. Wong, Commun. Mater., 6, 149 (2025). DOI: 10.1038/s43246-025-00876-2
  11. О.Н. Горшков, Д.О. Филатов, М.Н. Коряжкина, В.А. Лобанова, М.А. Рябова, ЖЭТФ, 164 (5), 810 (2023). DOI: 10.31857/S0044451023110123 [O.N. Gorshkov, D.O. Filatov, M.N. Koriazhkina, V.A. Lobanova, M.A. Ryabova, JETP, 137 (5), 700 (2023). DOI: 10.1134/S1063776123110031]
  12. G.V. Nenashev, A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, V.N. Petrov, Solid State Commun., 348-349, 114768 (2022). DOI: 10.1016/j.ssc.2022.114768
  13. G.S.H. Thien, N.A. Talik, B.K. Yap, H. Nakajima, S. Tunmee, N. Chanlek, B.T. Goh, Ceram. Int., 46, 29041 (2020). DOI: 10.1016/j.ceramint.2020.08.075
  14. T. Duan, J. Zha, N. Lin, Z. Wang, C. Tan, Y. Zhou, Device, 1 (6), 100221 (2023). DOI: 10.1016/j.device.2023.100221
  15. A.K. Mishra, V.K. Mishra, R.K. Shukla, Opt. Mater., 163, 117016 (2025). DOI: 10.1016/j.optmat.2025.117016
  16. Н.И. Алексеев, А.Н. Алешин, ФТТ, 66 (3), 377 (2024). DOI: 10.61011/FTT.2024.03.57478.278 [N.I. Alekseev, A.N. Aleshin, Phys. Solid State, 66 (3), 362 (2024). DOI: 10.61011/PSS.2024.03.57938.278]
  17. C.C. Boyd, R. Cheacharoen, T. Leijtens, M.D. McGehee, Chem. Rev., 119 (5), 3418 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.8b00336

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme