Исследованы возможности получения толстых эпитаксиальных пленок оксида олова из различных прекурсоров методами галоидной (HVPE) и ультразвуковой (mist-CVD) эпитаксии при осаждении на сапфировые подложки базисной (c) и r-ориентации. Установлено, что наибольшая скорость осаждения (до 10 μm/h) достигается на подложках сапфира базисной ориентации в HVPE-процессах с использованием SnI₂. Исследованы структурные, оптические и электрические свойства полученных пленок. Наиболее узкие кривые качания получены для пленок, выращенных из SnI₄ на сапфире базисной ориентации. Впервые сформированы эпитаксиальные пленки SnO₂ толщиной до 2.5 μm, кривая качания которых имеет наименьшую ширину на полувысоте, равную 6 arcmin, что является наилучшим показателем из всех описанных в литературе случаев эпитаксии. Ключевые слова: оксид олова, иодид олова, рост кристаллов, mist-CVD, HVPE, электрические и оптические свойства оксида олова.