Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 14 » Статья стр. 20
<<<>>>
Теоретический анализ профилей состава в осевых гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов AlGaAs
St. Petersburg State University, Research grant, 116524353
Дубровский В.Г.1, Микушев С.В.1, Штром И.В.1,2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: i.shtorm@spbu.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 20 марта 2026 г.
Принята к печати: 18 апреля 2026 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2026 г.
PDF версия
Проведен анализ профилей состава в осевых гетероструктурах нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs и AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs. Различие состоит в типе катализатора (Ga или Au), а также в материале, с которого начинается рост гетероструктуры (ННК GaAs или ННК AlxGa1-xAs тройного состава). Рассчитаны профили состава и показано, что использование Au значительно увеличивает размытие гетероинтерфейса за счет эффекта резервуара. Данный эффект подтверждается экспериментально. Ключевые слова: полупроводниковые нитевидные нанокристаллы AlGaAs, осевые гетероструктуры, профили состава, моделирование.
  1. P.C. McIntyre, A. Fontcuberta i Morral, Mater. Today Nano, 9, 100058 (2020). DOI: 10.1016/j.mtnano.2019.100058
  2. G. Boras, X. Yu, H. Liu, J. Semicond., 40, 101301 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/10/101301
  3. J.K. Hyun, S. Zhang, L.J. Lauhon, Annu. Rev. Mater. Res., 43, 451 (2013). DOI: 10.1146/annurev-matsci-071312-121659
  4. V.G. Dubrovskii, J. Phys. D, 50, 453001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa87a7
  5. M. Ghasemi, E.D. Leshchenko, J. Johansson, Nanotechnology, 32, 072001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/abc3e2
  6. E.D. Leshchenko, N.V. Sibirev, Nanomaterials, 14, 1816 (2024). DOI: 10.3390/nano14221816
  7. V.G. Dubrovskii, F. Glas, in Fundamental properties of semiconductor nanowires, ed. by N. Fukata, R. Rurali (Springer, Singapore, 2020), p. 3--107. DOI: 10.1007/978-981-15-9050-4_1
  8. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin, Cryst. Growth Des., 16, 7251 (2016). DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01412
  9. L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian, Nano Lett., 18, 7217 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03363
  10. L. Leandro, J. Hastrup, R. Reznik, G. Cirlin, N. Akopian, npj Quantum Inform., 6, 93 (2020). DOI: 10.1038/s41534-020-00323-9
  11. D. Barettin, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, S.V. Mikushev, G.E. Cirlin, M. Auf der Maur, N. Akopian, Nano Lett., 23, 895 (2023). DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c04184
  12. G. Priante, F. Glas, G. Patriarche, K. Pantzas, F. Oehler, J.C. Harmand, Nano Lett., 16, 1917 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05121
  13. G. Boras, X. Yu, H. Aruni Fonseka, G. Davis, A.V. Velichko, J.A. Gott, H. Zeng, S. Wu, P. Parkinson, X. Xu, D. Mowbray, A.M. Sanchez, H. Liu, J. Phys. Chem. C, 125, 14338 (2021). DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c03680
  14. G. Boras, H. Zeng, S. Church, R. Juluri, A. Velichko, H. Deng, H. Jia, F. Alvarado, Z. Yin, C. Chen, J. Park, M. Tang, D. Mowbray, A.M. Sanchez, P. Parkinson, H. Liu, Adv. Mater. Interfaces, 13, e00938 (2026). DOI: 10.1002/admi.202500938
  15. F. Glas, Cryst. Growth Des., 17, 4785 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b00732
  16. V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, Mater. Des., 132, 400 (2017). DOI: 10.1016/j.matdes.2017.07.012
  17. J. Johansson, M. Ghasemi, Phys. Rev. Mater., 1, 040401(R) (2017). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.1.040401
  18. V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 7, 096001 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.096001
  19. V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 8, 076003 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.8.076003

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme