Обращено внимание на влияние собственного поля H_HT тока смещения I_HT через преобразователь Холла (ПХ) на исследуемые объекты и точность холловского магнитометра. Рассматривается поле H_HT гетероэпитаксиального ПХ со структурой n-InSb-i-GaAs. Обнаружено, что на краях тонкой эпитаксиальной пленки n-InSb возле холловских контактов ПХ силовые линий индукции поля H_HT скачком меняют свое направление. В случае неоднородного распределения I_HT по сечению пленки из-за анизотропии и ростовых дефектов в пленке, а также из-за усиления неоднородности I_HT у кромок пленки при неэквипотенциальности холловских контактов эти скачки создают сигнал, вызывая ошибку. Точная компенсация поля H_HT с помощью поля тока, противофазного току I_HT, не только позволяет исключить влияние собственного поля на объекты исследования, повышая пространственное разрешение, но и понижает порог регистрируемого магнитометром поля с ~ 2.5· 10^-7 до ~ 5.75· 10^-9 T в диапазонах полей от 2.5· 10^-9 до 5· 10^-7 T и температур от 77.4 до 150 K. Ключевые слова: эффект Холла, гетероэпитаксиальная структура, собственное поле, противофазный ток, высокотемпературные сверхпроводники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.