Представлена аналитическая модель, описывающая динамику фотоэлектронов, возбуждаемых фемтосекундными оптическими импульсами в p-i-n-диоде AlGaAs/GaAs. При изменении величины обратного смещения происходит изменение механизма терагерцевой генерации. Волновая форма фототока (амплитуда, длительность, положение максимума) существенно зависит как от обратного смещения, так и от уровня оптического возбуждения, а также от энергии кванта лазерного излучения. При достаточно больших значениях напряженности внутреннего электрического поля терагерцевая генерация в гетероструктурном p-i-n-диоде обусловлена ускорением электронов в течение нескольких сотен фемтосекунд до скорости, значительно превышающей скорость насыщения ("velocity overshoot"), и последующим ее резким спадом, связанным с переходом электронов из центральной долины в боковые. Ключевые слова: терагерцевое электромагнитное излучение, p-i-n-диод, фемтосекундное лазерное возбуждение, динамика фотоэлектронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.