Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 7 » Статья стр. 16
<<<>>>
Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , 0791-2023-0004
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , State assignment IAP RAS, 075-00444-25-00
Saint-Petersburg State University, Russia, 122040800254-4
Лендяшова В.В. 1,2, Талалаев В.Г. 1, Кириленко Д.А.3, Калиничев А.А. 1, Шугабаев Т. 1,2, Поздеев В.А. 2, Андреева А.С.1,2, Штром И.В. 4, Резник Р.Р. 1,2, Цырлин Г.Э. 1,2,3,4, Илькив И.В. 1,2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: erilerican@gmail.com, fiskerr@ymail.com
Поступила в редакцию: 21 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2025 г.
Принята к печати: 4 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2026 г.
PDF версия
Представлен результат синтеза слоев GaAs на неразориентированных подложках Si(100) с использованием буферного слоя Si. Показано, что использование упругонапряженного слоя In0.1Ga0.9As и сверхрешеток In0.15Ga0.85As/GaAs в сочетании с циклическим термическим отжигом позволяет получать относительно тонкие темплейты с гладкой поверхностью и плотностью дислокаций на поверхности ~ 8· 107 сm-2. Гетероструктуры с квантовыми точками на основе таких буферных слоев демонстрируют фотолюминесценцию с λ~ 1250 nm при 300 K и временами жизни носителей, сравнимыми с таковыми для аналогичных структур на согласованных GaAs-подложках. Полученные результаты показывают возможность создания эффективных светоизлучающих гетероструктур с квантовыми точками на кремнии. Ключевые слова: арсенид индия-галлия, квантовые точки в квантовой яме, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, просвечивающая электронная микроскопия, фотолюминесценция.
  1. A. Khan, T.-H. Nguyen, Q.T. Trinh, N.-T. Nguyen, D.V. Dao, Y. Zhu, Adv. Eng. Mater., 27 (20), 2500342 (2025). DOI: 10.1002/adem.202500342
  2. T. Soga, T. Imori, M. Umeno, S. Hattori, Jpn. J. Appl. Phys., 26 (5A), L536 (1987). DOI: 10.1143/JJAP.26.L536
  3. J.C. Norman, D. Jung, Z. Zhang, Y. Wan, S. Liu, C. Shang, R.W. Herrick, W.W. Chow, A.C. Gossard, J.E. Bowers, IEEE J. Quantum Electron., 55 (2), 2000511 (2019). DOI: 10.1109/JQE.2019.2901508
  4. B. Kunert, Y. Mols, M. Baryshniskova, N. Waldron, A. Schulze, R. Langer, Semicond. Sci. Technol., 33 (9), 093002 (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aad655
  5. J. Norman, M.J. Kennedy, J. Selvidge, Q. Li, Y. Wan, A.Y. Liu, P.G. Callahan, Mc.P. Elhlin, T.M. Pollock, K.M. Lau, A.C. Gossard, J.E. Bowers, Opt. Express, 25 (4), 3927 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.003927
  6. Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M.J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, Z. Zhang, A.Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A.C. Gossard, E.L. Hu, K.M. Lau, J.E. Bowers, Optica, 4 (8), 940 (2017). DOI: 10.1364/OPTICA.4.000940
  7. Y. Kim, R.J. Chu, G. Ryu, S. Woo, Q.N.D. Lung, D.-H. Ahn, J.-H. Han, W.J. Choi, D. Jung, ACS Appl. Mater. Interfaces, 14 (39), 45051 (2022). DOI: 10.1021/acsami.2c14492
  8. A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc., 133 (4), 666 (1986). DOI: 10.1149/1.2108651
  9. D.E. Aspnes, J. Ihm, Phys. Rev. Lett., 57, 3054 (1986). DOI: 10.1103/PhysRevLett.57.3054
  10. В.В. Лендяшова, И.В. Илькив, Б.Р. Бородин, Д.А. Кириленко,А.С. Драгунова, Т. Шугабаев, Г.Э. Цырлин, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 7, 39 (2024). DOI: 10.31857/S1028096024070052 [V.V. Lendyashova, I.V. Ilkiv, B.R. Borodin, D.A. Kirilenko, A.S. Dragunova, T. Shugabaev, G.E. Cirlin, J. Surf. Investig., 18 (4), 796 (2024). DOI: 10.1134/S1027451024700460]
  11. M.O. Petrushkov, D.S. Abramkin, E.A. Emelyanov, M.A. Putyato, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.V. Vasev, M.Yu. Yesin, A.K. Bakarov, I.D. Loshkarev, A.K. Gutakovskii, V.V. Atuchin, V.V. Preobrazhenskii, Nanomaterials, 12 (24), 4449 (2022). DOI: 10.3390/nano12244449
  12. L. Kong, Z. Wu, Z.C. Feng, I.T. Ferguson, J. Appl. Phys., 101, 1261101 (2007). DOI: 10.1063/1.2745410
  13. M. Syperek, P. Leszczynski, J. Misiewicz, E.M. Pavelescu, C. Gilfert, J.P. Reithmaier, Appl. Phys. Lett., 96, 011901 (2010). DOI: 10.1063/1.3280384
  14. T. Laryn, R.J. Chu, Y. Kim, M.A. Madarang, Q.N.D. Lung, D.-H. Ahn, J.-H. Han, W.J. Choi, D. Jung, ACS Appl. Mater. Interfaces, 16 (23), 30209 (2024). DOI: 10.1021/acsami.4c04597
  15. M. Mtunzi, H. Zeng, L. Bao, C. Chen, J.-S. Park, H. Deng, Y. Wang, H. Jia, J. Li, H. Wang, Y. Hou, M.G. Masteghin, R. Beanland, F. Gardes, J. Moeyaert, T. Baron, M. Tang, A. Seeds, H. Liu, J. Phys. D, 58, 405101 (2025). DOI: 10.1088/1361-6463/ae074b
  16. J. Ye, H. Liu, C. Jiang, S. Liu, H. Zhai, H. Chang, J. Wang, Q. Wang, Y. Huang, X. Ren, Cryst. Growth Des., 25 (4), 1030 (2025). DOI: 10.1021/acs.cgd.4c01384

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme