Исследованы образцы, полученные методом твердофазного замещения элементов пятой группы мышьяком в InP и фосфором в InAs в течение τ=30 и 70 min при температурах t=585 и 655 ^oC. Согласно данным вторичной ионной масс-спектрометрии, элементы пятой группы проникали на глубину до 100 nm, для InP количество и глубина проникновения мышьяка при одинаковых τ и t имели различия при разных типах легирования подложек. Ключевые слова: твердофазное замещение, арсенид индия, фосфид индия, диффузия цинка, вторичная ионная масс-спектрометрия.