Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 6 » Статья стр. 45
<<<>>>
Шумовая спектроскопия тока в ультрафиолетовых светодиодах на основе InGaN/GaN-структур с квантовыми ямами
Иванов А.М. 1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2025 г.
Принята к печати: 29 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
PDF версия
Спектральная плотность низкочастотного токового шума резко возрастает и меняет характер зависимости от частоты при понижении температуры ниже 150 K, вплоть до температуры жидкого азота. Объяснения предложены на основе изменений в механизмах транспорта носителей и возрастания роли безызлучательной рекомбинации. Ключевые слова: низкочастотный токовый шум, квантовые ямы, туннельное сопротивление.
  1. Z. Peng, W. Guo, T. Wu, Z. Guo, Y. Lu, Y. Zheng, Y. Lin, Z. Chen, IEEE Photon. J., 12 (1), 8200108 (2020). DOI: 10.1109/JPHOT.2019.2958311
  2. P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira, I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson, Appl. Phys. Lett., 105 (17), 171107 (2014). DOI: 10.1063/1.4900865
  3. S. Marcinkevicius, R. Yapparov, L.Y. Kuritzky, Y-R. Wu, S. Nakamura, J.S. Speck, Phys. Rev. B, 101, 075305 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.075305
  4. D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, J. Lumin., 234, 117957 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2021.117957
  5. M.L. Lee, P.S. Hsieh, C.S. Chen, H.Z. Zhang, P.Y. Chen, C.Y. Yang, M.J. Wu, C.F. Lin, H.W. Hsu, M.Y. Kuo, H. Chen, J. Mater Sci.: Mater. Electron., 32, 28287 (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-07205-6
  6. А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм, ФТП, 43 (10), 1391 (2009). [A.S. Pavluchenko, I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim, Semiconductors, 43 (10), 1351 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609100170]
  7. L. Wan, X. Shao, Y. Ma, S. Deng, Y. Liu, J. Chen, Y. Gu, T. Li, X. Li, Infrared Phys. Technol., 109, 103389 (2020). DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103389
  8. J. Glemvza, S. Pralgauskaite, V. Palenskis, J. Matukas, Lith. J. Phys., 59 (3), 146 (2019). DOI: 10.3952/physics.v59i3.4081
  9. B. Saulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas, Acta Phys. Pol. A, 119 (4), 514 (2011). DOI: 10.12693/APhysPolA.119.514
  10. А.М. Иванов, А.В. Клочков, ФТП, 56 (6), 596 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52596.9817 [A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Semiconductors, 56 (6), 431 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.06.53546.9817]
  11. A.M. Ivanov, G.V. Nenashev, A.N. Aleshin, J. Mater Sci.: Mater. Electron., 33, 21666 (2022). DOI: 10.1007/s10854-022-08955-7
  12. J. Glemvza, J. Matukas, S. Pralgauskaite, V. Palenskis, Lith. J. Phys., 58 (2), 194 (2018). DOI: 10.3952/physics.v58i2.3749
  13. A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, J. Phys.: Conf. Ser., 2103, 012189 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012189
  14. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, М.В. Вирко, В.С. Коготков, А.А. Леонидов, П.Н. Воронцов-Вельяминов, И.А. Шеремет, Ю.Г. Шретер, ФТП, 51 (9), 1235 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528 [N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, M.V. Virko, V.S. Kogotkov, A.A. Leonidov, P.N. Vorontsov-Velyaminov, I.A. Sheremet, Yu.G. Shreter, Semiconductors, 51 (9), 1186 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617090068]
  15. Н.И. Солин, С.В. Наумов, ФТТ, 45 (3), 460 (2003). [N.I. Solin, S.V. Naumov, Phys. Solid State, 45 (3), 486 (2003). DOI: 10.1134/1.1562235]
  16. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер, ФТП, 49 (12), 1714 (2015). [N.I. Bochkareva, Yu.T. Rebane, Yu.G. Shreter, Semiconductors, 49 (12), 1665 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615120040]
  17. J. Liu, W.S. Tam, H. Wong, V. Filip, Microelectron. Reliab., 49 (1), 38 (2009). DOI: 10.1016/j.microrel.2008.10.002
  18. Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu, J. Lumin., 222, 117186 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117186
  19. M. Buffolo, A. Caria, F. Piva, N. Roccato, C. Casu, C. De Santi, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini, Phys. Status Solidi A, 219, 2100727 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100727
  20. S. Pralgauskaite, V. Palenskis, J. Matukas, J. Glemvza,  G. Muliuk, B. vSaulys, AA. Trink\=unas, Microelectron. Reliab., 55 (1), 52 (2015). DOI: 10.1016/j.microrel.2014.09.027

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme