Проверена возможность формирования нанопористых слоев Ge путем имплантации ионами Ag⁺ тонких пленок аморфного a-Ge, полученных оригинальным методом ионно-стимулированного осаждения. Для этого проводилось распыление низкоэнергетическими ионами Xe⁺ мишени c-Ge на подложку из кварцевого стекла, покрытого проводящим слоем Ni. Ионная имплантация выполнена при энергии E=30 keV, плотности тока в ионном пучке J=5 μA/cm² и дозах D=2.0· 10¹⁶ и 6.0· 10¹⁶ ion/cm². Для анализа полученного материала использованы методы электронной микроскопии и спектроскопии оптического отражения. Показано, что при малой дозе имплантации поверхность пленок остается гладкой, тогда как увеличение дозы приводит к формированию нанопористого слоя Ge, состоящего из хаотически расположенных в плоскости поверхности образца игольчатых образований. Ключевые слова: нанопористый германий, ионно-стимулированное осаждение, ионная имплантация.