Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном p-i-n-диоде
Лобаев М.А.1, Радищев Д.Б1, Вихарев А.Л.1, Горбачев А.М.1,2, Богданов С.А.1, Исаев В.А.1, Кукушкин В.А.1, Краев С.А.1, Охапкин А.И.1, Архипова Е.А.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Email: lobaev@appl.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 30 января 2025 г.
Принята к печати: 10 февраля 2025 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2025 г.
Впервые проведено исследование линии люминесценции с длиной волны 533 nm, связанной с наличием азота в алмазе, при совместном фото- и электровозбуждении в p-i-n-диоде на основе алмаза. Осуществлено сравнение изменения интенсивности этой линии с изменением интенсивностей бесфононных линий центра окраски азот-вакансия в нейтральном и отрицательном зарядовом состоянии при варьировании тока через диод и мощности возбуждающего лазера. Ключевые слова: CVD-алмаз, p-i-n-диод, центры окраски, электролюминесценция.
- S. Pezzagna, J. Meijer, Appl. Phys. Rev., 8, 011308 (2021). DOI: 10.1063/5.0007444
- J.F. Barry, J.M. Schloss, E. Bauch, M.J. Turner, C.A. Hart, L.M. Pham, R.L. Walsworth, Rev. Mod. Phys., 92, 015004 (2020). DOI: 10.1103/RevModPhys.92.015004
- T. Zhang, G. Pramanik, K. Zhang, M. Gulka, L. Wang, J. Jing, F. Xu, Z. Li, Q. Wei, P. Cigler, Z. Chu, ACS Sens., 6, 2077 (2021). DOI: 10.1021/acssensors.1c00415
- M.T. Luu, A.T. Younesi, R. Ulbricht, Mater. Quantum Technol., 4, 035201 (2024). DOI: 10.1088/2633-4356/ad61b3
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, M.N. Drozdov, V.I. Shashkin, Phys. Status Solidi RRL, 14, 2000347 (2020). DOI: 10.1002/pssr.202000347
- J. Ruan, W.J. Choyke, W.D. Partlow, J. Appl. Phys., 69, 6632 (1991). DOI: 10.1063/1.348877
- A. Tallaire, A.T. Collins, D. Charles, J. Achard, R. Sussmann, A. Gicquel, M.E. Newton, A.M. Edmonds, R.J. Cruddace, Diam. Relat. Mater., 15, 1700 (2006). DOI: 10.1016/j.diamond.2006.02.005
- H. Watanabe, T. Kitamura, S. Nakashima, S. Shikata, J. Appl. Phys., 105, 093529 (2009). DOI: 10.1063/1.3117214
- P.M. Martineau, S.C. Lawson, A.J. Taylor, S.J. Quinn, D.J.F. Evans, M.J. Crowder, Gems Gemol., 40 (1), 2 (2004)
- R.L. Stolk, J.G. Buijnsters, J.J. Schermer, N. Teofilov, R. Sauer, M.J. Fransen, J.J. ter Meulena, Diam. Relat. Mater., 12, 1322 (2003). DOI: 10.1016/S0925-9635(03)00075-X
- Д.Б. Радищев, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, В.Е. Демидов, М.Н. Дроздов, в сб. Тр. XXVIII Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2024), т. 2, с. 1012
- M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov, Appl. Phys. Lett., 123, 251116 (2023). DOI: 10.1063/5.0178908
- A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler, Phys. Status Solidi RRL, 10, 324 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201510453
- D.Yu. Fedyanin, M. Agio, New J. Phys., 18, 073012 (2016). DOI: 10.1088/1367-2630/18/7/073012