Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез пленок полутораокиси ванадия для защиты лент высокотемпературных сверхпроводников
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 24-22-00358
Березина О.Я.
1, Игнахин В.С.
1, Путролайнен В.В.
1, Секирин И.В.1, Спирин О.В.1, Красноперов Е.П.
2
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: berezina@petrsu.ru, art101@petrsu.ru, vputr@petrsu.ru, sekirin@petrsu.ru, krasnoperov_ep@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 27 июня 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 27 декабря 2024 г.
Получены тонкие (1-15 μm) покрытия V2O3 на проводящих подложках V и Cu для включения их в состав сверхпроводящей ленты в качестве защитного слоя. Покрытия синтезировались способами термического окисления лент металлического ванадия (чистота 99.5%) и электрохимического осаждения из раствора ванадата натрия на подложки из меди. Исследованы структура и фазовый состав пленок, полученных при различных условиях синтеза. Для пленок, полученных способом термического окисления, определены температурные изменения электрического сопротивления в диапазоне от 77 до 300 K. Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, моттовский изолятор, переход металл-изолятор, полутораокись ванадия.
- J. Pelegrin, E. Martinez, L.A. Angurel, Y.Y. Xie, V. Selvamanickam, IEEE Trans. Appl. Supercond., 21 (3), 3041 (2011). DOI: 10.1109/TASC.2010.2084982
- H.Y. Park, A.R. Kim, M. Park, I.K. Yu, B.Y. Eom, J.H. Bae, S.H. Kim, K. Sim, M.H. Sohn, IEEE Trans. Appl. Supercond., 20 (3), 2122 (2010). DOI: 10.1109/TASC.2010.2041770
- S. Hahn, D.K. Park, J. Bascunan, Y. Iwasa, IEEE Trans. Appl. Supercond., 21 (3), 1592 (2011). DOI: 10.1109/TASC.2010.2093492
- А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин, ФТТ, 65 (3), 460 (2023). DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54746.536 [A.V. Ilinskiy, E.B. Shadrin, Phys. Solid State, 65 (3), 450 (2023). DOI: 10.21883/PSS.2023.03.55588.536]
- А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин, ФТТ, 65 (12), 2068 (2023). DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56724.4937k [A.V. Ilinskiy, E.B. Shadrin, Phys. Solid State, 65 (12), 1985 (2023). DOI: 10.61011/PSS.2023.12.57643.4937k]
- T.M. Rice, D.B. McWhan, IBM J. Res. Develop., 14 (3), 251 (1970). DOI: 10.1147/rd.143.0251
- I. Castillo, K.K. Mishra, R.S. Katiyar, Coatings, 12 (5), 649 (2022). DOI: 10.3390/coatings12050649
- V. Mounasamy, G.K. Mani, D. Ponnusamy, K. Tsuchiya, A.K. Prasad, S. Madanagurusamy, J. Mater. Chem. A, 6 (15), 6402 (2018). DOI: 10.1039/C7TA10159G
- В.Н. Андреев, В.А. Климов, М.Е. Компан, ФТТ, 59 (12), 2413 (2017). DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45241.174 [V.N. Andreev, V.A. Klimov, M.E. Kompan, Phys. Solid State, 59 (12), 2441 (2017). DOI: 10.1134/S1063783417120046]
- В.Н. Андреев, В.А. Климов, ФТТ, 48 (12), 2200 (2006). [V.N. Andreev, V.A. Klimov, Phys. Solid State, 48 (12), 2328 (2006). DOI: 10.1134/S1063783406120146]
- M. Bonura, G. Bovone, P. Cayado, C. Senatore, IEEE Trans. Appl. Supercond., 33 (5), 8800106 (2023). DOI: 10.1109/TASC.2023.3251291
- А.В. Ильинский, Е.И. Никулин, Е.Б. Шадрин, ФТТ, 63 (5), 666 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.05.50819.005 [A.V. Il'inskii, E.I. Nikulin, E.B. Shadrin, Phys. Solid State, 63, 714 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421050097]
- B. Endrodi, V. Smulders, N. Simic, M. Wildlock, G. Mul, B. Mei, A. Cornell, Appl. Catal. B, 244, 233 (2019). DOI: 10.1016/j.apcatb.2018.11.038
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
