Вышедшие номера
Синтез пленок полутораокиси ванадия для защиты лент высокотемпературных сверхпроводников
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 24-22-00358
Березина О.Я. 1, Игнахин В.С. 1, Путролайнен В.В. 1, Секирин И.В.1, Спирин О.В.1, Красноперов Е.П. 2
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: berezina@petrsu.ru, art101@petrsu.ru, vputr@petrsu.ru, sekirin@petrsu.ru, krasnoperov_ep@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 27 июня 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 27 декабря 2024 г.

Получены тонкие (1-15 μm) покрытия V2O3 на проводящих подложках V и Cu для включения их в состав сверхпроводящей ленты в качестве защитного слоя. Покрытия синтезировались способами термического окисления лент металлического ванадия (чистота 99.5%) и электрохимического осаждения из раствора ванадата натрия на подложки из меди. Исследованы структура и фазовый состав пленок, полученных при различных условиях синтеза. Для пленок, полученных способом термического окисления, определены температурные изменения электрического сопротивления в диапазоне от 77 до 300 K. Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, моттовский изолятор, переход металл-изолятор, полутораокись ванадия.