Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 17 » Статья стр. 19
<<<>>>
Особенности амплитуды случайного телеграфного шума в транзисторе металл--оксид--полупроводник на основе двумерного дисульфида молибдена
Сапаров Х.Ш.1
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Email: xushnudbeksaparov@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 30 апреля 2024 г.
Принята к печати: 9 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 31 июля 2024 г.
PDF версия
Проведено моделирование зависимости амплитуды случайного телеграфного шума (СТШ) от напряжения на затворе и положения единичного оксидного ловушечного заряда вдоль канала МОПТ (полевого транзистора с изолированным затвором металл-оксид-полупроводник) на основе двумерного дисульфида молибдена. Показано, что амплитуда СТШ возрастает при напряжениях на затворе, меньших порогового, а на зависимости амплитуды СТШ от положения единичного заряда вдоль канала наблюдается максимум, сдвинутый от центра канала. Такое поведение амплитуды СТШ объясняется наряду с зависимостью от напряжения на затворе ее существенной зависимостью также от напряжения на стоке. Ключевые слова: двумерный дисульфид молибдена, случайный телеграфный шум, МОПТ, единичный оксидный ловушечный заряд.
  1. D.J. Wardynski, End of Moore's law --- what's next for the future of computing [Электронный ресурс]. https://www.brainspire.com/blog/end-of-moores-law-whats-next-for-the-future-of-computing (Published December 19, 2019)
  2. S.K. Moore, Spectrum, 56 (6), 9 (2019). DOI: 10.1109/MSPEC.2019.8727133
  3. Y. Yoon, K. Ganapathi, S. Salahuddin, Nano Lett., 11 (9), 3768 (2011). DOI: 10.1021/nl2018178
  4. H. Fang, S. Chuang, T.C. Chang, K. Takei, Nano Lett., 12 (7), 3788 (2012). DOI: 10.1021/nl301702r
  5. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol., 6, 147 (2011). DOI: 10.1038/nnano.2010.279
  6. J. Kang, W. Liu, D. Sarkar, D. Jena, K. Banerjee, Phys. Rev. X, 4 (3), 031005 (2014). DOI: 10.1103/physrevx.4.031005
  7. J.P. Campbell, L.C. Yu, K.P. Cheung, J. Qin, J.S. Suehle, A. Oates, K. Sheng, in 2009 Proc. of the IEEE Int. Conf. on IC design and technology (IEEE, 2009), p. 17-20. DOI: 10.1109/ICICDT.2009.5166255
  8. Z. Geng, Simulation of graphen nanoribbon and MoS2 transistors, master thesis (Technical University Ilmenau, Ilmenau, 2016)
  9. A.E. Atamuratov, M.M. Khalilloev, A. Yusupov, A.J. Garci a-Loureiro, J.C. Chedjou, K. Kyandoghere, Appl. Sci., 10 (15), 5327 (2020). DOI: 10.3390/app10155327

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme