Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 μm на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии
Калюжный Н.А.
1, Кижаев С.С.2, Минтаиров С.А.1, Пивоварова А.А.1, Салий Р.А.1, Черняев А.В.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
3Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
2Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
3Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: Nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 8 мая 2024 г.
Принята к печати: 8 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 31 июля 2024 г.
Технология выращивания метаморфных буферных слоев InGaAs на подложках InP применена для создания фотоприемников с длинноволновой границей 2.4 μm. Проведено сравнение оптических и электрических характеристик фотоприемников на основе метаморфной гетероструктуры InGaAs/InP и приборов на основе изопериодной системы GaInAsSb/GaSb. На приборную применимость разработанной технологии указывают высокая фоточувствительность и сопротивление фотодиодов при обратном смещении. Значения темновых токов коррелируют с низкой плотностью прорастающих дислокаций в активной области фотоприемников, которая оценивалась с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Ключевые слова: фотоприемник, InGaAs/InP, металлоорганическая газофазная эпитаксия, метаморфный слой, гетероструктура.
- Е.В. Куницына, И.A. Aндреев, Г.Г. Коновалов, А.А. Пивоварова, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев, Я.Я. Понуровский, А.И. Надеждинский, А.С. Кузьмичев, Д.Б. Ставровский, М.В. Спиридонов, ФТП, 56 (5), 508 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52365.9813 [E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, G.G. Konovalov, A.A. Pivovarova, N.D. Il'inskaya, Yu.P. Yakovlev, Ya.Ya. Ponurovskii, A.I. Nadezhdinskii, A.S. Kuz'michev, D.B. Stavrovskii, M.V. Spiridonov, Semiconductors, 56 (5), 351 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.05.53432.9813]
- А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, К.В. Калинина, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Письма в ЖТФ, 35 (2), 29 (2009). [A.N. Imenkov, B.E. Zhurtanov, A.P. Astakhova, K.V. Kalinina, M.P. Mikhailova, M.A. Sipovskaya, N.D. Stoyanov, Tech. Phys. Lett., 35 (1), 67 (2009). DOI: 10.1134/S1063785009010209]
- Ch. Giesen, M. Heuken, F. Dimroth, A. Bett, T. Hannapel, Z. Kollonitsch, K. Moller, M. Seip, J. Koch, A. Greiling, AIP Conf. Proc., 738 (1), 267 (2004). DOI: 10.1063/1.1841903
- T. Burger, C. Sempere, B. Roy-Layinde, A. Lenert, Joule, 4 (8), 1660 (2020). DOI: 10 1016/j.joule.2020.06.021
- C.A. Wang, AIP Conf. Proc., 738 (1), 255 (2004). DOI: 10.1063/1.1841902
- www.hamamatsu.com [Электронный ресурс]
- F. Dimroth, W. Guter, J. Schone, E. Welser, M. Steiner, E. Oliva, A. Wekkeli, G. Siefer, S.P. Philips, A.W. Bett, in 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2009), p. 001038. DOI: 10.1109/pvsc.2009.5411199
- T. Takamoto, H. Washio, H. Juso, in 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conf. (PVSC) (IEEE, 2014), p. 0001. DOI: 10.1109/PVSC.2014.6924936
- J.F. Geisz, R.M. France, K.L. Schulte, M.A. Steiner, A.G. Norman, H.L. Guthrey, M.R. Young, T. Song, T. Moriarty, Nat. Energy, 5, 326 (2020). DOI: 10.1038/s41560-020-0598-5
- С.А. Минтаиров, В.М. Емельянов, Д.В. Рыбальченко, Р.А. Салий, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, ФТП, 50 (4), 525 (2016). [S.A. Mintairov, V.M. Emelyanov, D.V. Rybalchenko, R.A. Salii, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Semiconductors, 50 (4), 517 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616040163]
- N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskiy, D.V. Rybalchenko, M.Z. Shvarts, Electron. Lett., 53 (3), 173 (2017). DOI: 10.1049/el.2016.4308
- N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, S.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, AIP Conf. Proc., 2298 (1), 030001 (2020). DOI: 10.1063/5.0032903
- N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, Solar Energy Mater. Solar Cells, 217, 110710 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110710
- Е.И. Василькова, E.B. Пирогов, M.C. Соболев, Е.В. Убыйвовк, A.M. Мизеров, П.В. Середин, Конденсированные среды и межфазные границы, 25 (1), 20 (2023). DOI: 10.17308/kemf.2023.25/10972
- K.L. Schulte, D.J. Freidman, T. Dada, H.L. Guthrey, E.W. Costa, E.J. Tervo, R.M. France, J.F. Geisz, M.A. Steiner, Adv. Energy Mater., 14 (10), 2303367 (2024). DOI: 10.1002/aenm.202303367
- D.C. Houghton, D.D. Perovic, J.-M. Baribeau, G.C. Weatherly, J. Appl. Phys., 67 (4), 1850 (1990). DOI: 10.1063/1.345613
- www.lmnst.com [Электронный ресурс]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
