Устойчивость органосиликатных low-k диэлектриков с бензольными мостиками к воздействию вакуумного ультрафиолетового излучения плазмы в процессе нанесения Ta барьерного покрытия
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда, 22-29-00763
Паль А.Ф.
1, Рябинкин А.Н.
1, Серов А.О.
1, Рахимова Т.В.
1, Вишневский А.С.
2, Серегин Д.С.
2, Воротилов К.А.
2, Бакланов М.Р.
21Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: apal@mics.msu.su, alex.ryabinkin@gmail.com, aloleserov@yandex.ru, TRakhimova@mics.msu.su, vishnevskiy@mirea.ru, d_seregin@mirea.ru, vorotilov@mirea.ru, baklanovmr@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2023 г.
Принята к печати: 16 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 31 января 2024 г.
Исследована устойчивость периодических мезопористых органосиликатных low-k диэлектриков с бензольными мостиками к воздействию вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) излучения плазмы при осаждении танталовых барьерных покрытий методом магнетронного распыления с дополнительной ионизацией индукционным высокочастотным разрядом. Обнаружена корреляция состава и особенностей пористой структуры образцов с их гидрофобностью и устойчивостью к ВУФ излучению. Ключевые слова: low-k диэлектрики, ВУФ, барьерные слои, PVD.
- A. Grill, S.M. Gates, T.E. Ryan, S.V. Nguyen, D. Priyadarshini, Appl. Phys. Rev., 1 (1), 011306 (2014). DOI: 10.1063/1.4861876
- S. Gallois-Garreignot, G. Hu, V. Fiori, M. Sorrieul, C. Moutin, C. Tavernier, in 2015 IEEE 65th Electronic Components and Technology Conf. (ECTC) (IEEE, 2015), p. 1063--1070. DOI: 10.1109/ECTC.2015.7159726
- H. Li, J.M. Knaup, E. Kaxiras, J.J. Vlassak, Acta Mater., 59 (1), 44 (2011). DOI: 10.1016/j.actamat.2010.08.015
- P. Van Der Voort, D. Esquivel, E. De Canck, F. Goethals, I. Van Driessche, F.J. Romero-Salguero, Chem. Soc. Rev., 42 (9), 3913 (2013). DOI: 10.1039/C2CS35222B
- J. Li, T.E. Seidel, J.W. Mayer, MRS Bull., 19 (8), 15 (1994). DOI: 10.1557/S0883769400047692
- S. Uchida, S. Takashima, M. Hori, M. Fukasawa, K. Ohshima, K. Nagahata, T. Tatsumi, J. Appl. Phys., 103 (7), 073303 (2008). DOI: 10.1063/1.2891787
- A.A. Rezvanov, A.S. Vishnevskiy, D.S. Seregin, D. Schneider, A.A. Lomov, K.A. Vorotilov, M.R. Baklanov, Mater. Chem. Phys., 290, 126571 (2022). DOI: 10.1016/j.matchemphys.2022.126571
- S. Yu, T.K.S. Wong, X. Hu, K. Pita, J. Electrochem. Soc., 150 (5), F116 (2003). DOI: 10.1149/1.1566021
- A.O. Serov, A.N. Ryabinkin, A.S. Vishnevskiy, S. Naumov, A.F. Pal, T.V. Rakhimova, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, M.R. Baklanov, Plasma Process. Polym., 20 (4), 2200169 (2023). DOI: 10.1002/ppap.202200169
- D.S. Seregin, S. Naumov, W.-Y. Chang, Y.-H. Wu, Y. Wang, N.M. Kotova, A.S. Vishnevskiy, S. Wei, J. Zhang, K.A. Vorotilov, M. Redzheb, J. Leu, M.R. Baklanov, Thin Solid Films., 685, 329 (2019). DOI: 10.1016/j.tsf.2019.06.050
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
