Вышедшие номера
Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
РФФИ, АНФ_а, 21-52-14007
Минобрнауки России, 075-15-2020-790
Илларионов Ю.Ю.1,2, Банщиков А.Г.1, Knobloch T.2, Иванов И.А.1, Grasser T.2, Соколов Н.С.1, Векслер М.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники Технического университета Вены, Вена, Австрия
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 15 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 31 января 2024 г.

Впервые изготовлены образцы полевых транзисторов для "двумерной" электроники на основе сочетания графена (материала канала) и эпитаксиального фторида кальция (изолирующего затвор материала). Измерены стандартные для приборов данного типа характеристики, подтвердившие работоспособность этих приборов. Исследование можно рассматривать как шаг к созданию транзисторов с новыми материалами, перспективными для дальнейшего масштабирования элементов. Одна из ближайших задач - снижение разброса характеристик приборных структур. Ключевые слова: 2D-электроника, полевой транзистор, графен, фторид кальция.