Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 4 » Статья стр. 27
<<<>>>
Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
РФФИ, АНФ_а, 21-52-14007
Минобрнауки России, 075-15-2020-790
Илларионов Ю.Ю.1,2, Банщиков А.Г.1, Knobloch T.2, Иванов И.А.1, Grasser T.2, Соколов Н.С.1, Векслер М.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники Технического университета Вены, Вена, Австрия
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 15 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 31 января 2024 г.
PDF версия
Впервые изготовлены образцы полевых транзисторов для "двумерной" электроники на основе сочетания графена (материала канала) и эпитаксиального фторида кальция (изолирующего затвор материала). Измерены стандартные для приборов данного типа характеристики, подтвердившие работоспособность этих приборов. Исследование можно рассматривать как шаг к созданию транзисторов с новыми материалами, перспективными для дальнейшего масштабирования элементов. Одна из ближайших задач - снижение разброса характеристик приборных структур. Ключевые слова: 2D-электроника, полевой транзистор, графен, фторид кальция.
  1. M. Lemme, D. Akinwande, C. Huyghebaert, C. Stampfer, Nat. Commun., 13, 1392 (2022). DOI: 10.1038/s41467-022-29001-4
  2. A. Beraud, M. Sauvage, C. Bazan, M. Tie, A. Bencherif, D. Bouilly, Analyst, 146, 403 (2021). DOI: 10.1039/d0an01661f
  3. Yu.Yu. Illarionov, T. Knobloch, M. Jech, M. Lanza, D. Akinwande, M.I. Vexler, T. Mueller, M. Lemme, G. Fiori, F. Schwierz, T. Grasser, Nat. Commun., 11, 3385 (2020). DOI: 10.1038/s41467-020-16640-8
  4. F. Hui, M. Villena, W. Fang, A.-Y. Lu, J. Kong, Y. Shi, X. Jing, K. Zhu, M. Lanza, 2D Mater., 5, 031011 (2018). DOI: 10.1088/2053-1583/aac615
  5. M. Tsutsui, M. Watanabe, M. Asada, Jpn. J. Appl. Phys., 38 (8B), L920 (1999). DOI: 10.1143/JJAP.38.L920
  6. W. Hayes, Crystals with the fluorite structure (Clarendon Press, 1974)
  7. S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachikia, H. Kawarada, Diamond Rel. Mater., 12, 399 (2003). DOI: 10.1016/S0925-9635(03)00034-7
  8. Yu.Yu. Illarionov, A.G. Banshchikov, D.K. Polyushkin, S. Wachter, T. Knobloch, M. Thesberg, M. Waltl, M. Stoeger-Pollach, A. Steiger-Thirsfeld, M.I. Vexler, N.S. Sokolov, T. Mueller, T. Grasser, Nat. Electron., 2, 230 (2019). DOI: 10.1038/s41928-019-0256-8
  9. A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986). DOI: 10.1149/1.2108651

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme