Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 2 » Статья стр. 6
<<<>>>
Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1-xAs нитевидных нанокристаллов
Санкт-Петербургский государственный университет, ID 94033852
Лещенко Е.Д.1, Дубровский В.Г.2
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: leshchenko.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 27 сентября 2023 г.
Принята к печати: 16 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 января 2024 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование формирования автокаталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллов InxGa1-xAs при лимитированном нуклеацией росте. Модель позволяет проводить расчеты состава нитевидного нанокристалла в зависимости от состава капли в случаях нуклеации на тройной линии (на границе раздела пар-жидкость-кристалл) и в центре (на границе раздела жидкость-кристалл). Изучено влияние поверхностной энергии на состав нитевидных нанокристаллов при различных параметрах роста, в том числе температуре, концентрации Au и концентрации элементов V группы. Показано, что при автокаталитическом росте приближение независимости поверхностной энергии зародыша от его состава дает те же результаты, что и точные расчеты для обоих типов нуклеации. Ключевые слова: моделирование, нитевидные нанокристаллы, химический состав, InxGa1-xAs, поверхностная энергия, критический зародыш.
  1. E.D. Leshchenko, V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 13, 1659 (2023). DOI: 10.3390/nano13101659
  2. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  3. K.A. Dick, P. Caroff, J. Bolinsson, M.E. Messing, J. Johansson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson, Semicond. Sci. Technol., 25, 024009 (2010). DOI: 10.1088/0268-1242/25/2/024009
  4. H. Wang, Z. Xie, W. Yang, J. Fang, L. An, Cryst. Growth Des., 8, 3893 (2008). DOI: 10.1021/cg8002756
  5. X. Yuan, D. Pan, Y. Zhou, X. Zhang, K. Peng, B. Zhao, M. Deng, J. He, H.H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Rev., 8, 021302 (2021). DOI: 10.1063/5.0044706
  6. B.D. Liu, J. Li, W.J. Yang, X.L. Zhang, X. Jiang, Y. Bando, Small, 13, 1701998 (2017). DOI: 10.1002/smll.201701998
  7. C.-Z. Ning, L. Dou, P. Yang, Nat. Rev. Mater., 2, 17070 (2017). DOI: 10.1038/natrevmats.2017.70
  8. J.-C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas, F. Panciera, I. Florea, J.-L. Maurice, L. Travers, Y. Ollivier, Phys. Rev. Lett., 121, 166101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.166101
  9. F. Jabeen, S. Rubini, F. Martelli, Microelectronics J., 40, 442 (2009). DOI: 10.1016/j.mejo.2008.06.001
  10. P. Caroff, M.E. Messing, M. Borg, K.A. Dick, K. Deppert, L.E. Wernersson, Nanotechnology, 20, 495606 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/49/495606
  11. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  12. P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Madsen, J. Nyg rd, H. Shtrikman, Nano Lett., 10, 4475 (2010). DOI: 10.1021/nl102308k
  13. G. Bemski, Phys. Rev., 111, 1515 (1958). DOI: 10.1103/PhysRev.111.1515
  14. E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson, Chem. Rev., 119, 9170 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00075
  15. Y. Zhang, A.M. Sanchez, Y. Sun, J. Wu, M. Aagesen, S. Huo, D. Kim, P. Jurczak, X. Xu, H. Liu, Nano Lett., 16, 1237 (2016). DOI: 101021/acs.nanolett.5b04554
  16. F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.-C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
  17. A.S. Ameruddin, P. Caroff, H.H. Tan, C. Jagadish, V.G. Dubrovskii, Nanoscale, 7, 16266 (2015). DOI: 10.1039/C5NR04129E
  18. S.G. Ghalamestani, M. Ek, M. Ghasemi, P. Caroff, J. Johansson, K.A. Dick, Nanoscale, 6, 1086 (2014). DOI: 10.1039/C3NR05079C
  19. B.M. Borg, K.A. Dick, J. Eymery, L.-E. Wernersson, Appl. Phys. Lett., 98, 113104 (2011). DOI: 10.1063/1.3566980
  20. G. Priante, F. Glas, G. Patriarche, K. Pantzas, F. Oehler, J.-C. Harmand, Nano Lett., 16, 1917 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05121
  21. V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, Mater. Des., 132, 400 (2017). DOI: 10.1016/j.matdes.2017.07.012
  22. R. Sjokvist, D. Jacobsson, M. Tornberg, R. Wallenberg, E.D. Leshchenko, J. Johansson, K.A. Dick, J. Phys. Chem. Lett., 12, 7590 (2021). DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c02121
  23. E.D. Leshchenko, J. Johansson, CrystEngComm, 23, 5284 (2021). DOI: 10.1039/D1CE00743B
  24. E.D. Leshchenko, M. Ghasemi, V.G. Dubrovskii, J. Johansson, CrystEngComm, 20, 1649 (2018). DOI: 10.1039/C7CE02201H
  25. J. Johansson, E.D. Leshchenko, J. Cryst. Growth, 509, 118 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.002
  26. J. Johansson, M. Ghasemi, Cryst. Growth Des., 17, 1630 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01653

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme