Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 1 » Статья стр. 36
<<<>>>
Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al-Ga-As-Sn
DOI: 10.61011/PJTF.2024.01.56924.19721
Российский научный фонд, https://rscf.ru/project/22-19-00057/, Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами», № 22-19-00057
Потапович Н.С. 1, Хвостиков В.П. 1, Хвостикова О.А. 1, Власов А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nspotapovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 11 октября 2023 г.
Принята к печати: 13 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2023 г.
PDF версия
Проведено моделирование концентрационных профилей слоев n-AlGaAs, легированных оловом, при выращивании методом жидкофазной эпитаксии из расплава ограниченной высоты. Показана возможность получения толстых градиентных волноводных слоев из расплавов с различным содержанием олова. Исследовано влияние состава растворителя на эффект инверсии градиента профиля алюминия. Ключевые слова: AlGaAs, фазовые диаграммы, жидкофазная эпитаксия, фотоэлектрические преобразователи.
  1. X. Zhao, K.H. Montgomery, J.M. Woodall, J. Electron. Mater., 43 (11), 3999 (2014). DOI: 10.1007/s11664-014-3340-x
  2. V. Khvostikov, O. Khvostikova, N. Potapovich, A. Vlasov, R. Salii, Heliyon, 9 (7), e18063 (2023). DOI: 10.1016/j.heliyon.2023.e18063
  3. W.G. Pfann, Zone melting (Wiley, 1958). DOI: 10.1107/S0365110X5900130X
  4. В.M. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков, Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (Сов. радио, М., 1975)
  5. В.А. Елюхин, С.Ю. Карпов, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков, Письма в ЖТФ, 4 (11), 629 (1978)
  6. M.B. Panish, J. Appl. Phys., 44 (6), 2667 (1973). DOI: 10.1063/1.1662631
  7. Х. Кейси, М. Паниш, Лазеры на гетероструктурах (Мир, М., 1981), т. 2, гл. 6. [H.C. Casey, M.B. Panish, Heterostructure lasers (Academic Press, 1978), pt B, сh. 6. DOI: 10.1016/B978-0-12-163102-4.50009-9]
  8. M. Dombrougov, Microsyst. Electron. Acoust., 24 (1), 6 (2019). DOI: 10.20535/2523-4455.2019.24.1.160164
  9. A. Panchak, V. Khvostikov, P. Pokrovskiy, Opt. Laser Technol., 136, 106735 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106735
  10. V.P. Khvostikov, A.N. Panchak, O.A. Khvostikova, P.V. Pokrovskiy, IEEE Electron Dev. Lett., 43 (10), 1717 (2022). DOI: 10.1109/LED.2022.3202987

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme