Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 1 » Статья стр. 32
<<<>>>
Измерение локальных напряжений в поверхностных слоях многослойных структур нуль-методом с использованием фазового синхронизма
DOI: 10.61011/PJTF.2024.01.56923.19692
Министерство образования и науки России , FWGW-2022-0002
Министерство образования и науки России , АААА-А20-120102190007-5
Ступак М.Ф.1, Дворецкий С.А.2,3, Михайлов Н.Н.2,4, Макаров С.Н.1, Елесин А.Г.1
1Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: stupak@tdisie.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, makarovsn@tdisie.nsc.ru, elesin.andrei@tdisie.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2023 г.
Принята к печати: 11 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2023 г.
PDF версия
Разработан новый нуль-метод для измерения величин остаточных механических напряжений в поверхностных слоях, основанный на измерении сигнала генерации второй гармоники, обусловленной анизотропией поляризации лазерного ИК-излучения, отраженного от поверхности вращаемого исследуемого образца, с последующим прохождением излучения через нелинейный кристалл, ориентированный на синхронизм для анизотропной поляризации. Получены количественные данные о величине амплитуды сигнала второй гармоники в зависимости от приложенных напряжений. Проведено измерение остаточных напряжений в поверхностном слое HgCdTe многослойной структуры HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые составили 0.0045 N. Наблюдаемая тонкая структура сигнала второй гармоники позволяет сделать вывод о сложной структуре остаточных напряжений. Ключевые слова: напряжения, вторая гармоника, поляризация, полупроводниковая структура.
  1. С.Ф. Сенько, В.А. Зеленин, Приборы и методы измерений, 9 (3), 254 (2018). DOI: 10.21122/2220-9506-2018-9-3-254-262
  2. H. Nagai, J. Appl. Phys., 45 (9), 3789 (1974). DOI: 10.1063/1.1663861
  3. И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков, Письма в ЖТФ, 43 (4), 64 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44299.16494 [I.D. Loshkarev, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, A.V. Kolesnikov, M.A. Putyato, M.Yu. Esin, M.O. Petrushkov, Tech. Phys. Lett., 43 (2), 213 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017020225]
  4. М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд, ЖТФ, 91 (11), 1799 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51546.34-21 [M.F. Stupak, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.N. Makarov, A.G. Yelesin, A.G. Verhoglyad, Tech. Phys., 67 (14), 2290 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.14.55233.34-21]
  5. М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд, ФТТ, 62 (2), 214 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48870.601 [M.F. Stupak, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, M.V. Yakushev, D.G. Ikusov, S.N. Makarov, A.G. Elesin, A.G. Verkhoglyad, Phys. Solid State, 62 (2), 252 (2020). DOI: 10.1134/S1063783420020201]
  6. П.Е. Бережная, М.Ф. Ступак, Автометрия, 39 (5), 128 (2003)
  7. С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд, ФТП, 56 (8), 780 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53145.31 [S.A. Dvoretsky, M.F. Stupak, N.N. Mikhailov, S.N. Makarov, A.G. Elesin, A.G. Verhoglyad, Semiconductors, 56 (8), 562 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.08.54114.31]
  8. С.Л. Мушер, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин, Квантовая электроника, 23 (8), 762 (1996). [S.L. Musher, M.F. Stupak, V.S. Syskin, Quantum Electron., 26 (8), 743 (1996). DOI: 10.1070/QE1996v026n08ABEH000768]
  9. R.N. Jacobs, L.A. Almeida, J. Marcunas, J. Pellegrino, M. Groenert, M. Jaime-Vasquez, N. Manadik, C. Andrews, S.B. Qadri, T. Lee, M. Kim, J. Electron. Mater., 37 (9), 1480 (2008). DOI: 10.1007/s11664-008-0519-z
  10. A.B. Smirnov, Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron., 15 (2), 170 (2012). DOI: 10.15407/spqeo15.02.170

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme