Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 21 » Статья стр. 38
<<<>>>
Токовая неустойчивость в гетероструктурах на основе тонких слоев коллоидных квантовых точек Ag2Se и фуллерена С60
DOI: 10.61011/PJTF.2023.21.56463.19687
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-22-10007 и региона Крым
Гурченко В.С.1, Мазинов А.С.1, Тютюник А.С.1, Гревцева И.Г.2, Смирнов М.С.2, Асланов С.В.2, Овчинников О.В.2
1Крымский федеральный университет им В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: mazinovas@cfuv.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 4 сентября 2023 г.
Принята к печати: 19 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2023 г.
PDF версия
Представлено исследование электрофизических свойств тонкопленочных слоев коллоидных квантовых точек селенида серебра (Ag2Se), а также гетероструктуры на основе фуллерена С60 и Ag2Se. Описаны синтез материалов, методика получения тонких пленок и гетероструктуры. Исследование проводящих свойств осуществлялось посредством анализа вольт-амперных характеристик. Показано, что тонкие пленки Ag2Se в системе сандвич-структуры Al-Ag2Se-ITO имеют особые вольт-амперные характеристики, в частности обладают токовой неустойчивостью с инверсией знака протекающего тока. Реализация гетероструктуры в системе Al-С60-Ag2Se-ITO позволяет стабилизировать и усилить данный эффект. Ключевые слова: Ag2Se, тонкопленочные структуры, вольт-амперные характеристики, токовая неустойчивость.
  1. Z. Zhang, Y. Yang, J. Gao, S. Xiao, C. Zhou, D. Pan, G. Liu, X. Guo, Mater. Today Energy, 7, 27 (2018). DOI: 10.1016/j.mtener.2017.11.005
  2. Y. Yang, D. Pan, Z. Zhang, T. Chen, H. Xie, J. Gao, X. Guo, J. Alloys Compd., 766, 925 (2018). DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.07.022
  3. J. Ma, M. Chen, S. Qiao, J. Chang, G. Fu, S. Wang, ACS Photon., 9 (6), 2160 (2022). DOI: 10.1021/acsphotonics.2c00474
  4. J. Gao, L. Miao, H. Lai, S. Zhu, Y. Peng, X. Wang, K. Koumoto, H. Cai, iScience, 23 (1), 100753 (2019). DOI: 10.1016/j.isci.2019.100753
  5. K.H. Lim, K.W. Wong, Y. Liu, Y. Zhang, D. Cadavid, A. Cabot, K.M. Ng, J. Mater. Chem. C, 7 (9), 2646 (2019). DOI: 10.1039/C9TC00163H
  6. J. Niu, T. Chen, G. Liang, H. Ma, X. Zhang, P. Fan, Z. Zheng, Mater. Lett., 312, 131662 (2022). DOI: 10.1016/j.matlet.2022.131662
  7. P. Jood, R. Chetty, M. Ohta, J. Mater. Chem. A, 8 (26), 13024 (2020). DOI: 10.1039/D0TA02614J
  8. C. Jiang, Y. Ding, K. Cai, L. Tong, Y. Lu, W. Zhao, P. Wei, ACS Appl. Mater. Interfaces, 12 (8), 9646 (2020). DOI: 10.1021/acsami.9b21069
  9. J.-J. Ma, M.-X. Yu, Z. Zhang, W.-G. Cai, Z.-L. Zhang, H.-L. Zhu, Q.-Y. Cheng, Z.-Q. Tian, D.-W. Pang, Nanoscale, 10 (22), 10699 (2018). DOI: 10.1039/C8NR02017E
  10. M. Park, D. Choi, Y. Choi, H. Shin, K.S. Jeong, ACS Photon., 5 (5), 1907 (2018). DOI: 10.1021/acsphotonics.8b00291
  11. C.F. Pereira, I.M.A. Viegas, I.G. Souza Sobrinha, G. Pereira, G.A.L. Pereira, P. Krebs, B. Mizaikoff, J. Mater. Chem. C, 8 (30), 10448 (2020). DOI: 10.1039/D0TC02653K
  12. R. Bera, D. Choi, Y.S. Jung, H. Song, K.S. Jeong, J. Phys. Chem. Lett., 13 (26), 6138 (2022). DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c01179
  13. S.B. Hafiz, M. Scimeca, P. Zhao, I.J. Paredes, A. Sahu, D.-K. Ko, ACS Appl. Nano Mater., 2 (3), 1631 (2019). DOI: 10.1021/acsanm.9b00069
  14. Y. Ding, Y. Qiu, K. Cai, Q. Yao, S. Chen, L. Chen, J. He, Nat. Commun., 10 (1), 841 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-08835-5
  15. J. Qu, N. Goubet, C. Livache, B. Martinez, D. Amelot, C. Greboval, A. Chu, J. Ramade, H. Cruguel, S. Ithurria, M.G. Silly, E. Lhuillier, J. Phys. Chem. C, 122 (31), 18161 (2018). DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b05699
  16. W.-Y. Lee, S. Ha, H. Lee, J.-H. Bae, B. Jang, H.-J. Kwon, Y. Yun, S. Lee, J. Jang, Adv. Opt. Mater., 7 (22), 1900812 (2019). DOI: 10.1002/adom.201900812
  17. O.V. Ovchinnikov, I.G. Grevtseva, M.S. Smirnov, T.S. Kondratenko, A.S. Perepelitsa, S.V. Aslanov, V.U. Khokhlov, E.P. Tatyanina, A.S. Matsukovich, Opt. Quantum Electron., 52 (4), 198 (2020). DOI: 10.1007/s11082-020-02314-8
  18. А.С. Мазинов, А.С. Тютюник, В.С. Гурченко, Прикладная физика, N 2, 64 (2020)
  19. А.Н. Гусев, А.С. Мазинов, А.С. Тютюник, И.Ш. Фитаев, В.С. Гурченко, Е.В. Брага, ЖТФ, 91 (1), 89 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50278.120-20 [A.N. Gusev, A.S. Mazinov, A.S. Tyutyunik, I.Sh. Fitaev, V.S. Gurchenko, E.V. Braga, Tech. Phys., 66, 84 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221010102]
  20. А.Н. Гусев, А.С. Мазинов, В.С. Гурченко, А.С. Тютюник, Е.В. Брага, Письма в ЖТФ, 47 (8), 3 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.08.50843.18617 [A.N. Gusev, A.S. Mazinov, V.S. Gurchenko, A.S. Tyutyunik, E.V. Braga, Tech. Phys. Lett., 47, 377 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021040180]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme