Вышедшие номера
Изучение процессов формирования наноразмерных соединений в ВТСП-материалах при имплантации ионов Ba+
Ташмухамедова Д.А. 1, Уроков А.Н.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2023 г.
Принята к печати: 2 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.

Впервые с использованием методов оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, измерения энергетических зависимостей коэффициента вторичной электронной эмиссии sigma исследовалось влияние имплантации ионов Ba на состав и ширину запрещенной зоны Eg, число валентных электронов керамики CuOY2O3BaO. Показано, что после ионной имплантации значение sigma увеличивается во всей исследуемой области энергий первичных электронов Ep. Это увеличение практически не зависит от температуры подложки в интервале T=85-300 K. Значение ширины запрещенной зоны Eg увеличивается от 0.5 до 4.5 eV, что объясняется образованием тонкого слоя (~ 40-50 Angstrem ), обогащенного окисью бария. Ключевые слова: ионная имплантация, ширина запрещенной зоны, коэффициент вторичной электронной эмиссии, оже-спектр, сверхпроводящие свойства, керамика. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56342.19370