Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb
Гагис Г.С.
1, Кучинский В.И.
1, Козлов Р.Ю.
2,3, Казанцев Д.Ю.
1, Бер Б.Я.
1, Токарев М.В.
1, Власов А.C.
1, Васильев В.И.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (АО "Гиредмет"), Москва, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: galina-gagis@yandex.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru, mishatokarev@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 29 августа 2023 г.
Принята к печати: 29 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
Исследованы процессы твердофазного замещения атомов пятой группы атомами фосфора в полупроводниковых пластинах InAs при температурах 580-590oC и InSb при 440-460oC с использованием в качестве источников паров растворов-расплавов Sn-ZnGeP2 и Sn-CdGeP2. Методом комбинационного рассеяния света подтверждено формирование твердого раствора InPxSb1-x в InSb. Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, p-n-переход, легирование, узкозонные полупроводники. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56341.19683
- В.П. Хвостиков, С.В Сорокина, О.А. Хвостикова, М.В. Нахимович, М.З. Шварц, ФТП, 55 (10), 956 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51454.9686 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 55, 840 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621100134]
- Л.Б. Карлина, А.С. Власов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, Н.Х. Тимошина, М.М. Кулагина, А.Б. Смирнов, ФТП, 51 (5), 699 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44432.8477 [L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, N.Kh. Timoshina, M.M. Kulagina, A.B. Smirnov, Semiconductors, 51, 667 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617050116]
- Y. Wada, K. Wada, Appl. Phys. Lett., 63 (3), 379 (1993). DOI: 10.1063/1.110049
- T. Sugino, S. Nozu, S. Nakajima, Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2999 (1999). DOI: 10.1063/1.123992
- В.И. Васильев, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, В.Г. Данильченко, ФТП, 49 (7), 984 (2015). https://journals.ioffe.ru/articles/41976 [V.I Vasil'ev, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.G. Danil'chenko, Semiconductors, 49, 962 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615070234]
- Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, М.В. Токарев, В.П. Хвостиков, М.В. Нахимович, А.C. Власов, В.И. Васильев, Письма в ЖТФ, 48 (21), 3 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53702.19304 [G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, M.V. Tokarev, V.P. Khvostikov, M.V. Nakhimovich, A.S. Vlasov, V.I. Vasil'ev, Tech. Phys. Lett., 48 (11), 1 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.11.54876.19304]
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001). DOI: 10.1063/1.1368156
- Ю.К. Ундалов, в сб. Получение, свойства и применение фосфидов, отв. ред. Г.В. Самсонов (Наук. думка, Киев, 1977), с. 37
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С. Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (2), 273 (2013). https://journals.ioffe.ru/articles/4909 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, N.Kh. Timoshina, N.S. Potapovich, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47, 307 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020139]
- K. Grodecki, K. Murawski, K. Michalczewski, B. Budner, P. Martyniuk, AIP Adv., 9 (2), 025107 (2019). DOI: 10.1063/1.5081775
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
