Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 20 » Статья стр. 20
<<<>>>
Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb
DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56341.19683
Гагис Г.С. 1, Кучинский В.И.1, Козлов Р.Ю.2,3, Казанцев Д.Ю. 1, Бер Б.Я. 1, Токарев М.В.1, Власов А.C.1, Васильев В.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (АО "Гиредмет"), Москва, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: galina-gagis@yandex.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru, mishatokarev@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 29 августа 2023 г.
Принята к печати: 29 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
PDF версия
Исследованы процессы твердофазного замещения атомов пятой группы атомами фосфора в полупроводниковых пластинах InAs при температурах 580-590oC и InSb при 440-460oC с использованием в качестве источников паров растворов-расплавов Sn-ZnGeP2 и Sn-CdGeP2. Методом комбинационного рассеяния света подтверждено формирование твердого раствора InPxSb1-x в InSb. Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, p-n-переход, легирование, узкозонные полупроводники. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56341.19683
  1. В.П. Хвостиков, С.В Сорокина, О.А. Хвостикова, М.В. Нахимович, М.З. Шварц, ФТП, 55 (10), 956 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51454.9686 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 55, 840 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621100134]
  2. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, Н.Х. Тимошина, М.М. Кулагина, А.Б. Смирнов, ФТП, 51 (5), 699 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44432.8477 [L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, N.Kh. Timoshina, M.M. Kulagina, A.B. Smirnov, Semiconductors, 51, 667 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617050116]
  3. Y. Wada, K. Wada, Appl. Phys. Lett., 63 (3), 379 (1993). DOI: 10.1063/1.110049
  4. T. Sugino, S. Nozu, S. Nakajima, Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2999 (1999). DOI: 10.1063/1.123992
  5. В.И. Васильев, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, В.Г. Данильченко, ФТП, 49 (7), 984 (2015). https://journals.ioffe.ru/articles/41976 [V.I Vasil'ev, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.G. Danil'chenko, Semiconductors, 49, 962 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615070234]
  6. Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, М.В. Токарев, В.П. Хвостиков, М.В. Нахимович, А.C. Власов, В.И. Васильев, Письма в ЖТФ, 48 (21), 3 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53702.19304 [G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, M.V. Tokarev, V.P. Khvostikov, M.V. Nakhimovich, A.S. Vlasov, V.I. Vasil'ev, Tech. Phys. Lett., 48 (11), 1 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.11.54876.19304]
  7. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001). DOI: 10.1063/1.1368156
  8. Ю.К. Ундалов, в сб. Получение, свойства и применение фосфидов, отв. ред. Г.В. Самсонов (Наук. думка, Киев, 1977), с. 37
  9. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С. Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (2), 273 (2013). https://journals.ioffe.ru/articles/4909 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, N.Kh. Timoshina, N.S. Potapovich, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47, 307 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020139]
  10. K. Grodecki, K. Murawski, K. Michalczewski, B. Budner, P. Martyniuk, AIP Adv., 9 (2), 025107 (2019). DOI: 10.1063/1.5081775

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme