Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 20 » Статья стр. 27
<<<>>>
InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля
DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56343.19617
Суханов М.А.1, Протасов Д.Ю.1,2, Бакаров А.К.1, Макеева А.А.1, Лошкарев И.Д.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский гоcударственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: msukhanov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 4 мая 2023 г.
Принята к печати: 5 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
PDF версия
В слоях InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs, изучены структурные дефекты и транспортные свойства. Определен состав буферного слоя, обеспечивающего в нелегированных слоях InSb толщиной 0.5 μm наименьшую плотность дефектов и подвижность электронов около 39 000 cm2/(V· s) при комнатной температуре. На основе легированных донорами слоев InSb сформирован датчик Холла с высокой чувствительностью ~ 27 V/(A· T) при комнатной температуре. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, слои InSb на GaAs, датчик Холла. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56343.19617
  1. T. Zhang, S.K. Clowes, M. Debnath, A. Bennett, C. Roberts, J.J. Harris, R.A. Stradling, L.F. Cohena, T. Lyford, P.F. Fewster, Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4463 (2004). DOI: 10.1063/1.1748850
  2. X. Zhao, Y. Zhang, M. Guan, L. Cui, B. Wang, Z. Zhu, Y. Zeng, J. Cryst. Growth, 470, 1 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.03.051
  3. O. Kazakova, J.C. Gallop, P. See, D. Cox, G.K. Perkins, J.D. Moore, L.F. Cohen, IEEE Trans. Magn., 45 (10), 4499 (2009). DOI: 10.1109/TMAG.2009.2025513
  4. M. Oszwaldowski, T. Berus, Thin Solid Films, 515 (4), 2692 (2006). DOI: 10.1016/j.tsf.2006.07.023
  5. T. Berus, M. Oszwaldowski, J. Grabowski, Sensors Actuators A, 116 (1), 75 (2004). DOI: j.sna.2004.03.029
  6. S. El-Ahmar, M. Przychodnia, J. Jankowski, R. Prokopowicz, M. Ziemba, M.J. Szary, W. Reddig, J. Jagie o, A. Dobrowolski, T. Ciuk, Sensors, 22 (14), 5258 (2022). DOI: 10.3390/s22145258
  7. J. Jankowski, S. El-Ahmar, M. Oszwaldowski, Sensors, 11 (1), 876 (2011). DOI: 10.3390/s110100876
  8. А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, ФТП, 45 (10), 1379 (2011). [A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, T.A. Komissarova, A.A. Sitnikova, D.A. Kirylenko, A.M. Nadtochyi, T.V. Popova, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, Semiconductors, 45 (10), 1327 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611100150]
  9. G. Chen, W. Sun, Y. Lv, Infrared Phys. Technol., 81, 262 (2017). DOI: 10.1016/j.infrared.2017.01.014
  10. A.E. Blakeslee, MRS Online Proceedings Library, 148, 217 (1989). DOI: 10.1557/PROC-148-217
  11. T.D. Mishima, J.C. Keay, N. Goel, M.A. Ball, S.J. Chung, M.B. Johnson, M.B. Santos, Physica E, 20 (3-4), 260 (2004). DOI: 10.1016/j.physe.2003.08.014
  12. M.A. Ball, J.C. Keay, S.J. Chung, M.B. Santos, M.B. Johnson, Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2138 (2002). DOI: 10.1063/1.1463206

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme