Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля
Суханов М.А.1, Протасов Д.Ю.1,2, Бакаров А.К.1, Макеева А.А.1, Лошкарев И.Д.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский гоcударственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский гоcударственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: msukhanov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 4 мая 2023 г.
Принята к печати: 5 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
В слоях InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs, изучены структурные дефекты и транспортные свойства. Определен состав буферного слоя, обеспечивающего в нелегированных слоях InSb толщиной 0.5 μm наименьшую плотность дефектов и подвижность электронов около 39 000 cm2/(V· s) при комнатной температуре. На основе легированных донорами слоев InSb сформирован датчик Холла с высокой чувствительностью ~ 27 V/(A· T) при комнатной температуре. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, слои InSb на GaAs, датчик Холла. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56343.19617
- T. Zhang, S.K. Clowes, M. Debnath, A. Bennett, C. Roberts, J.J. Harris, R.A. Stradling, L.F. Cohena, T. Lyford, P.F. Fewster, Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4463 (2004). DOI: 10.1063/1.1748850
- X. Zhao, Y. Zhang, M. Guan, L. Cui, B. Wang, Z. Zhu, Y. Zeng, J. Cryst. Growth, 470, 1 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.03.051
- O. Kazakova, J.C. Gallop, P. See, D. Cox, G.K. Perkins, J.D. Moore, L.F. Cohen, IEEE Trans. Magn., 45 (10), 4499 (2009). DOI: 10.1109/TMAG.2009.2025513
- M. Oszwaldowski, T. Berus, Thin Solid Films, 515 (4), 2692 (2006). DOI: 10.1016/j.tsf.2006.07.023
- T. Berus, M. Oszwaldowski, J. Grabowski, Sensors Actuators A, 116 (1), 75 (2004). DOI: j.sna.2004.03.029
- S. El-Ahmar, M. Przychodnia, J. Jankowski, R. Prokopowicz, M. Ziemba, M.J. Szary, W. Reddig, J. Jagie o, A. Dobrowolski, T. Ciuk, Sensors, 22 (14), 5258 (2022). DOI: 10.3390/s22145258
- J. Jankowski, S. El-Ahmar, M. Oszwaldowski, Sensors, 11 (1), 876 (2011). DOI: 10.3390/s110100876
- А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, ФТП, 45 (10), 1379 (2011). [A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, T.A. Komissarova, A.A. Sitnikova, D.A. Kirylenko, A.M. Nadtochyi, T.V. Popova, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, Semiconductors, 45 (10), 1327 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611100150]
- G. Chen, W. Sun, Y. Lv, Infrared Phys. Technol., 81, 262 (2017). DOI: 10.1016/j.infrared.2017.01.014
- A.E. Blakeslee, MRS Online Proceedings Library, 148, 217 (1989). DOI: 10.1557/PROC-148-217
- T.D. Mishima, J.C. Keay, N. Goel, M.A. Ball, S.J. Chung, M.B. Johnson, M.B. Santos, Physica E, 20 (3-4), 260 (2004). DOI: 10.1016/j.physe.2003.08.014
- M.A. Ball, J.C. Keay, S.J. Chung, M.B. Santos, M.B. Johnson, Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2138 (2002). DOI: 10.1063/1.1463206
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
