Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55349.19327 
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2022 г.
Принята к печати: 9 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2022 г.
Предложена простая конструкция полевого транзистора на основе GaN на Si-подложке с эффективным теплоотводом по слоям полиалмаза, сформированным на стенках заземляющих отверстий. По расчетам в результате введения такого теплоотвода при одинаковом среднем расстоянии между секциями затворов максимальная температура в канале GaN-транзистора на Si-подложке существенно уменьшается и становится сравнимой с максимальной температурой в канале GaN-транзистора на SiC-подложке. Ключевые слова: GaN-полевой транзистор, заземляющее отверстие, температура канала, полиалмаз.
- H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith, Power amplifiers performance survey 2000-present [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://gems.ece.gatech.edu/PA_survey.html
- B. Romanczyk, S. Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45 (2018). DOI: 10.1109/TED.2017.2770087
- Nidhi, S. Dasgupta, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (12), 1683 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2168558
- Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
- В. Ланин, Е. Телеш, Силовая электроника, N 3, 120 (2008)
- В. Ральченко, В. Конов, Электроника: наука, технология, бизнес, N 4, 58 (2007)
- В.Л. Ланин, А.П. Достанко, Е.В. Телеш, Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники (Изд. центр БГУ, Минск, 2007)
- O. Seok, Y.-H. Choi, M. Kim, J. Kim, B. Hong, M.-K. Han, in CS MANTECH Conf. (Portland, Oregon, USA, 2010), p. 229
- P.C. Chao, K. Chu, J. Diaz, C. Creamer, S. Sweetland, R. Kallaher, C. McGray, G.D. Via, J. Blevins, MRS Adv., 1 (2), 147 (2016). DOI: 10.1557/adv.2016.176
- А.А. Гиппиус, Ж.Р. Паносян, К.Д. Турьян, Ю.А. Концевой, Д.Ф. Перн, Е.В. Енгибарян, С.С. Восканян, А.В. Степанян, Способ получения алмазоподобных пленок для инкапсуляции солнечных фотоэлектрических элементов, патент N 2244983 С1 (RU) (начало действия 14.07.2003, опубл. 20.01.2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
