Письма в журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов

DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54279.19395

Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55350.19395

Соболев А.С.^1,2, Павлов А.Ю.³, Майтама М.В.^3,4, Глинский И.А.⁵, Пономарев Д.С.^2,3, Спирин К.Е.⁶, Жмудь Б.А.², Хабибуллин Р.А.

^2,3

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Москва, Россия Moscow Institute of Physics and Technology (State University), Moscow, Russia

Moscow Institute of Physics and Technology (State University), Moscow, Russia

³Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

⁴Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Национальный исследовательский университет), Москва, Россия Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russia

Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russia

⁵МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия MIREA - Russian Technological University, Moscow, Russia

⁶Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: ponomarev_dmitr@mail.ru, khabibullin_r@mail.ru, khabibullin@isvch.ru

Поступила в редакцию: 18 октября 2022 г.

В окончательной редакции: 31 октября 2022 г.

Принята к печати: 9 ноября 2022 г.

Выставление онлайн: 25 декабря 2022 г.

PDF версия

Двухбарьерные GaAs/AlAs резонансно-туннельные диоды (РТД) являются перспективными элементами для создания генераторов субмиллиметрового и терагерцевого диапазонов частот. Образцы GaAs/AlAs РТД изготовлены и исследованы методом СВЧ-рефлектометрии, что позволило определить параметры эквивалентной схемы данных диодов. Теоретически показано, что копланарная линия передач с периодически включенными в нее GaAs/AlAs РТД является усиливающей до частоты 8 GHz. Ключевые слова: резонансно-туннельные диоды, активные линии передач, распределенные генераторы, диоды с двойными металлическими контактами.

A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Prog. Cryst. Growt. Charact. Mater., 66 (2), 100485 (2020). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020.100485
A.E. Yachmenev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, J. Phys. D: Appl. Phys., 55 (19), 193001 (2022). DOI: 10.1088/1361-6463/ac43dd
H. Eisele, Electron. Lett., 46 (6), 422 (2010). DOI: 10.1049/el.2010.3362
Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев, ФТП, 48 (1), 73 (2014). [D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Yu.V. Fedorov, P.P. Maltsev, Semiconductors, 48 (1), 69 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614010187]
D. Ushakov, A. Afonenko, R. Khabibullin, D. Ponomarev, V. Aleshkin, S. Morozov, A. Dubinov, Opt. Express, 28 (17), 25371 (2020). DOI: 10.1364/OE.398552
Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, И.А. Глинский, Р.А. Хабибуллин, Russ. Technol. J., 10 (3), 45 (2022). DOI: 10.32362/2500-316X-2022-10-3-45-55
T. Maekawa, H. Kanaya, S. Suzuki, M. Asada, Appl. Phys. Express, 9 (2), 024101 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.024101
H. Mizuta, T. Tanoue, The physics and applications of resonant tunneling diodes (Cambridge University Press, Cambridge, 1995)
K. Kasagi, S. Suzuki, M. Asada, J. Appl. Phys., 125 (15), 151601 (2019). DOI: 10.1063/1.5051007
A. Sobolev, S. Zaitsev-Zotov, M. Maytama, E. Klimov, A. Pavlov, D. Ponomarev, R. Khabibullin, Opt. Eng., 60 (8), 082019 (2021). DOI: 10.1117/1.OE.60.8.082018
N.C. Kluksdahl, A.M. Kriman, D.K. Ferry, C. Ringhofer, Phys. Rev. B, 39 (11), 7720 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель