Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование воздействия атомов H, N и O на квазидвумерный дисульфид молибдена
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54894.19330 
Russian science foundation, 22-22-00178
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: voroninaen@nsrd.sinp.msu.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2022 г.
Принята к печати: 30 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 29 октября 2022 г.
Представлены результаты экспериментального исследования воздействия атомов O, N и H на ультратонкие пленки MoS2, демонстрирующие изменение свойств приповерхностного слоя образцов при такой обработке. Ключевые слова: квазидвумерные материалы, дисульфид молибдена, плазма, радикалы, ионы, модификация поверхности.
- Z.M. Wang, MoS2: materials, physics, and devices (Springer, 2014). DOI: 10.1007/978-3-319-02850-7
- B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nature Nanotechnol., 6 (3), 147 (2011). DOI: 10.1038/nnano.2010.279
- Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх, УФН, 188 (1), 3 (2018). DOI: 10.3367/UFNr.2017.02.038065 [L.A. Chernozatonskii, A.A. Artyukh, Phys. Usp., 61 (1), 2 (2018). DOI: 10.3367/UFNe.2017.02.038065]
- B.J. Lee, B.J. Lee, J. Lee, J.-W. Yang, K.-H. Kwon, Thin Solid Films, 637, 32 (2017). DOI: 10.1016/j.tsf.2017.02.014
- J. Guo, B. Yang, Zh. Zheng, J. Jiang, Physica E, 87, 150 (2016). DOI: 10.1016/j.physe.2016.12.004
- D.V. Lopaev, A.V. Volynets, S.M. Zyryanov, A.I. Zotovich, A.T. Rakhimov, J. Phys. D, 50 (7), 075202 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/50/7/075202
- C. Lee, H. Yan, L.E. Brus, T.F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano, 4 (5), 2695 (2010). DOI: 10.1021/nn1003937
- G.A. Ermolaev, Y.V. Stebunov, A.A. Vyshnevyy, D.E. Tatarkin, D.I. Yakubovsky, S.M. Novikov, D.G. Baranov, T. Shegai, A.Y. Nikitin, A.V. Arsenin, V.S. Volkov, npj 2D Mater. Appl., 4 (1), 21 (2020). DOI: 10.1038/s41699-020-0155-x
- L.M. Farigliano, P.A. Paredes-Oliverab, E.M. Patrito, Phys. Chem. Chem. Phys., 23 (17), 10225 (2021). DOI: 10.1039/D0CP06502A
- E.N. Voronina, Y.A. Mankelevich, L.S. Novikov, T.V. Rakhimova, D. Marinov, J.-F. de Marneffe, J. Phys.: Condens. Matter, 32 (44), 445003 (2020). DOI: 10.1088/1361-648X/aba013
- K.C. Santosh, R.C. Longo, R.M. Wallace, K. Choet, J. Appl. Phys., 117 (13), 135301 (2015). DOI: 10.1063/1.4916536
- M.R. Islam, N. Kang, U. Bhanu, H.P. Paudel, M. Erementchouk, L. Tetard, M.N. Leuenberger, S.I. Khondaker, Nanoscale, 6 (17), 10033 (2014). DOI: 10.1039/C4NR02142H
- A. Azcatl, X. Qin, A. Prakash, Ch. Zhang, L. Cheng, Q. Wang, N. Lu, M.J. Kim, J. Kim, K. Cho, R. Addou, Ch.L. Hinkle, J. Appenzeller, R.M. Wallace, Nano Lett., 16 (9), 5437 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01853
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
