Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 22 » Статья стр. 24
<<<>>>
Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53802.19322
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54893.19322
Алмаев Д.А.1, Алмаев А.В.1,2, Копьев В.В.1, Николаев В.И.3,4, Печников А.И.3, Степанов С.И.3, Бойко М.Е.3, Бутенко П.Н.1,3, Щеглов М.П.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Фокон", Калуга, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: almaev001@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 28 сентября 2022 г.
Принята к печати: 29 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 29 октября 2022 г.
PDF версия
Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.
  1. J. Moloney, O. Tesh, M. Singh, J.W. Roberts, J.C. Jarman, L.C. Lee, T.N. Huq, J. Brister, S. Karboyan, M. Kuball, P.R. Chalker, R.A. Oliver, F.C.-P. Massabuau, J. Phys. D: Appl. Phys., 52 (47), 475101 (2019). DOI: 10.1088/1361-6463/ab3b76
  2. K. Akaiwa, K. Kaneko, K. Ichino, S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 55, (12) 1202BA (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202BA
  3. A.K. Mondal, M.A. Mohamed, L.K. Ping, M.F.M. Taib, M.H. Samat, M.A.S.M. Haniff, R. Bahru, Materials, 14 (3), 604 (2021). DOI: 10.3390/ma14030604
  4. X.Y. Sun, X.H. Chen, J.G. Hao, Z.P. Wang, Y. Xu, H.H. Gong, Y.J. Zhang, X.X. Yu, C.D. Zhang, F.-F. Ren, S.L. Gu, R. Zhang, J.D. Ye, Appl. Phys. Lett., 119 (14), 141601 (2021). DOI: 10.1063/5.0059061
  5. X. Zhao, Z. Wu, D. Guo, W. Cui, P. Li, Y. An, L. Li, W. Tang, Semicond. Sci. Technol., 31 (6), 065010 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/6/065010
  6. D.Y. Guo, X.L. Zhao, Y.S. Zhi, W. Cui, Y.Q. Huang, Y.H. An, P.G. Li, Z.P. Wu, W.H. Tang, Mater. Lett., 164, 364 (2015). DOI: 10.1016/j.matlet.2015.11.001
  7. X. Hou, Y. Zou, M. Ding, Y. Qin, Z. Zhang, X. Ma, P. Tan, S. Yu, X. Zhou, X. Zhao, G. Xu, H. Sun, S. Long, J. Phys. D: Appl. Phys., 54 (4), 043001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb45
  8. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5 (1), 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
  9. D. Kaur, M. Kumar, Adv. Opt. Mater., 9 (9), 2002160 (2021). DOI: 10.1002/adom.202002160
  10. Y. Xu, C. Zhang, Y. Cheng, Z. Li, Y. Cheng, Q. Feng, D. Chen, J. Zhang, Y. Hao, Materials, 12 (22), 3670 (2019). DOI: 10.3390/ma12223670
  11. J.A. Spencer, A.L. Mock, A.G. Jacobs, M. Schubert, Y. Zhang, M.J. Tadjer, Appl. Phys. Rev., 9 (1), 011315 (2022). DOI: 10.1063/5.0078037
  12. L. Farrell, K. Fleischer, D. Caffrey, D. Mullarkey, E. Norton, I.V. Shvets, Phys. Rev. B, 91 (12), 125202 (2015). DOI: 0.1103/PhysRevB.91.125202
  13. А.В. Алмаев, Б.О. Кушнарев, Е.В. Черников, В.А. Новиков, Письма в ЖТФ, 46 (20), 35 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.20.50154.18342 [A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, E.V. Chernikov, V.A. Novikov, Tech. Phys. Lett., 46, 1028 (2020). DOI: 10.1134/S106378502010017X]
  14. Z. Fan, M. Zhu, S. Pan, J. Ge, L. Hu, Ceram. Int., 47 (10A), 13655 (2021). DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.01.226
  15. A. Polyakov, V. Nikolaev, S. Stepanov, A. Almaev, A. Pechnikov, E. Yakimov, B.O. Kushnarev, I. Shchemerov, M. Scheglov, A. Chernykh, A. Vasilev, A. Kochkova, S.J. Pearton, J. Appl. Phys., 131 (21), 215701 (2022). DOI: 10.1063/5.0090832
  16. A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, E.V. Chernikov, V.A. Novikov, P.M. Korusenko, S.N. Nesov, Superlatt. Microstruct., 151, 106835 (2021). DOI: 10.1016/j.spmi.2021.106835

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme