Вышедшие номера
Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk region, and the Krasnoyarsk Regional Science Foundation, 20-42-240013
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , FZWN-2020-0008
Барон Ф.А.1, Шанидзе Л.В.1, Рауцкий М.В.1, Михлин Ю.Л.2, Лукьяненко А.В.1, Коновалов С.О.3, Зеленов Ф.В.3, Швец П.В.4, Гойхман А.Ю.4, Волков Н.В.1, Тарасов А.С.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
3Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
4Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия
Email: filippbaron@mail.ru, baron@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 19 августа 2022 г.
Принята к печати: 3 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 4 октября 2022 г.

Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники. Ключевые слова: оксинитрид титана, температурные сенсоры, тонкие пленки, атомно-слоевое осаждение, элементы интегральных схем.
  1. N.D. Cuong, D.J. Kim, B.D. Kang, S.G.J. Yoon, Electrochem. Soc., 153, G856 (2006). DOI: 10.1149/1.2219707
  2. S. Iwashita, S. Aoyama, M. Nasu, K. Shimomura, N. Noro, T. Hasegawa, Y. Akasaka, K. Miyashita, J. Vac. Sci. Technol. A, 34, 01A145 (2016). DOI: 10.1116/1.4938106
  3. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, Y. Taga, Science, 293, 269 (2001). DOI: 10.1126/science.1061051
  4. E. Martinez-Ferrero, Y. Sakatani, C. Boissiere, D. Grosso, A. Fuertes, J. Fraxedas, C. Sanchez, Adv. Funct. Mater., 17, 3348 (2007). DOI: 10.1002/adfm.200700396
  5. M. Lazarov, P. Raths, H. Metzger, W. Spirkl, J. Appl. Phys., 77, 2133 (1995). DOI: 10.1063/1.358790
  6. A. Rizzo, M.A. Signore, L. Tapfer, E. Piscopiello, A. Cappello, E. Bemporad, M. Sebastiani, J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 115406 (2009). DOI: 10.1088/0022-3727/42/11/115406
  7. X. Yang, Y. Lin, J. Liu, W. Liu, Q. Bi, X. Song, J. Kang, F. Xu, L. Xu, M.N. Hedhili, D. Baran, X. Zhang, T.D. Anthopoulos, S. De Wolf, Adv. Mater., 32, 2002608 (2020). DOI: 10.1002/adma.202002608
  8. S.S. Courts, P.R. Swinehart, AIP Conf. Proc., 684, 393(2003). DOI: 10.1063/1.1627157
  9. C.J. Yeager, S.S. Courts, IEEE Sensors J., 1, 352 (2001). DOI: 10.1109/7361.983476
  10. Е.С. Киселева, Физико-механические свойства и структура пленок диоксида и оксинитрида титана, осажденных методом реактивного магнетронного распыления, автореф. канд. дис. (Нац. исслед. Томск. политехн. ун-т, Томск, 2016)
  11. J.-M. Chappe, N. Martin, J. Lintymer, F. Sthal, G. Terwagne, J. Takadoum, Appl. Surf. Sci., 253, 5312 (2007). DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.12.004
  12. F.A. Baron, Y.L. Mikhlin, M.S. Molokeev, M.V. Rautskiy, I.A. Tarasov, M.N. Volochaev, L.V. Shanidze, A.V. Lukyanenko, T.E. Smolyarova, S.O. Konovalov, F.V. Zelenov, A.S. Tarasov, N.V. Volkov, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 32531 (2021). DOI: 10.1021/acsami.1c08036
  13. M. Mayer, AIP Conf. Proc., 475, 541 (1999). DOI: 10.1063/1.59188
  14. L.V. Shanidze, A.S. Tarasov, M.V. Rautskiy, F.V. Zelenov, S.O. Konovalov, I.V. Nemtsev, A.S. Voloshin, I.A. Tarasov, F.A. Baron, N.V. Volkov, Appl. Sci., 11, 7498 (2021). DOI: 10.3390/app11167498

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.