Вышедшие номера
Кинетика радиального роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V при газофазной эпитаксии
РФФИ, 20-52-16301
РФФИ, 20-02-00351
Дубровский В.Г.1, Микушев С.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 12 августа 2022 г.
Принята к печати: 2 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 4 октября 2022 г.

Предложена модель радиального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) полупроводниковых соединений групп III-V методом газофазной эпитаксии на маскированных подложках, позволяющая проводить расчеты радиуса ННК как функции его длины. Получены аналитические решения для радиуса ННК на различных стадиях роста. Проведено сравнение результатов модели с экспериментальными данными по кинетике роста ННК GaAs и показано их хорошее согласие. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы III-V, радиальный рост, газофазная эпитаксия, моделирование.
  1. S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G.J. Koblmuller, J. Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
  2. F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
  3. S. Mauthe, Y. Baumgartner, M. Sousa, Q. Ding, M.D. Rossell, A. Schenk, L. Czornomaz, K.E. Moselund, Nat. Commun., 11, 4565 (2020). DOI: 10.1038/s41467-020-18374-z
  4. V.G. Dubrovskii, Y. Berdnikov, J. Schmidtbauer, M. Borg, K. Storm, K. Deppert, J. Johansson, Cryst. Growth Des., 16, 2167 (2016). DOI: 10.1021/acs.cgd.5b01832
  5. J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett., 86, 213102 (2005). DOI: 10.1063/1.1935038
  6. K.P. Bassett, P.K. Mohseni, X. Li, Appl. Phys. Lett., 106, 133102 (2015). DOI: 10.1063/1.4916347
  7. Q. Gao, V.G. Dubrovskii, P. Caroff, J. Wong-Leung, L. Li, Y. Guo, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett., 16, 4361 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01461
  8. Y. Zhang, A.V. Velichko, H. Aruni Fonseka, P. Parkinson, J.A. Gott, G. Davis, M. Aagesen, A.M. Sanchez, D. Mowbray, H. Liu, Nano Lett., 21, 5722 (2021). DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01461
  9. J. Sun, X. Zhuang, Y. Fan, S. Guo, Z. Cheng, D. Liu, Y. Yin, Y. Tian, Z. Pang, Z. Wei, X. Song, L. Liao, F. Chen, J.C. Ho, Z. Yang, Small, 17, 2170190 (2021). DOI: 10.1002/smll.202170190
  10. L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian, Nano Lett., 18, 7217 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03363
  11. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  12. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
  13. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, S. Crankshaw, Appl. Phys. Lett., 90, 043115 (2007). DOI: 10.1063/1.2436655
  14. P. Caroff, M.E. Messing, M. Borg, K.A. Dick, K. Deppert, L.E. Wernersson, Nanotechnology, 20, 495606 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/49/495606
  15. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
  16. M. Borg, J. Johansson, K. Storm, K. Deppert, J. Cryst. Growth, 366, 15 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.142
  17. J. Johansson, M.H. Magnusson, J. Cryst. Growth, 525, 125192 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125192
  18. J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, Phys. Rev. B, 81, 235436 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235436
  19. V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 253 (2022). DOI: 10.3390/nano12020253
  20. V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 2632 (2022). DOI: 10.3390/nano12152632

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.