Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.10.54803.19326 
Иванов М.С.
1, Рожков А.В.
1, Родин П.Б.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: m.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2022 г.
Принята к печати: 1 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 4 октября 2022 г.
Выполнено численное моделирование переключения высоковольтного GaAs-диода в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными. Показано, что эффект длительного (до 100 ns) самоподдержания проводящего состояния диода после переключения обусловлен возникновением в электронно-дырочной плазме узких (порядка микрометра) ионизирующих доменов Ганна - так называемых коллапсирующих доменов. Ударная ионизация в коллапсирующих доменах и в краевых (катодном и анодном) доменах сильного электрического поля (~ 300 kV/cm) поддерживает высокую концентрацию неравновесных носителей (≥ 1017 сm-3) в течение всей длительности импульса приложенного напряжения обратной полярности. Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, lock-on эффект, эффект Ганна.
- High-power optically activated solid-state switches, ed. by A. Rosen, F. Zutavern (Artech House, Boston-London, 1994)
- С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев, Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2016)
- А.В. Рожков, М.С. Иванов, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 48 (16), 25 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.16.53203.19271
- S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, J. Appl. Phys., 97 (2), 024502 (2005). DOI: 10.1063/1.1839638
- S. Selberherr, Analysis and simulation of semiconductor devices (Springer-Verlag, Wien-N.Y., 1984)
- S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moilanen, IEEE Trans. Electron Dev., 57 (4), 733 (2010). DOI: 10.1109/TED.2010.2041281
- M.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, I.V. Smirnova, P.B. Rodin, J. Appl. Phys., 131 (1), 014502 (2022). DOI: 10.1063/5.0077092
- М.С. Иванов, В.И. Брылевский, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 47 (13), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51119.18794 [M.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, P.B. Rodin, Tech. Phys. Lett., 47, 661 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021070087]
- H. Benda, E. Spenke, Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967). DOI: 10.1109/PROC.1967.5834
- L. Hu, J. Su, Z. Ding, Q. Hao, X. Yuan, J. Appl. Phys., 115 (9), 094503 (2014). DOI: 10.1063/1.4866715
- И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов, А.Д. Королёва, О.П. Толбанов, Письма в ЖТФ, 44 (11), 21 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254 [I.A. Prudaev, M.G. Verkholetov, A.D. Koroleva, O.P. Tolbanov, Tech. Phys. Lett., 44, 465 (2018). DOI: 10.1134/S106378501806007X]
- I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (8), 3339 (2018). DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
- I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
