Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 20 » Статья стр. 31
<<<>>>
Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах
DOI: 10.21883/PJTF.2022.20.53693.19326
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.10.54803.19326
Иванов М.С. 1, Рожков А.В. 1, Родин П.Б. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2022 г.
Принята к печати: 1 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 4 октября 2022 г.
PDF версия
Выполнено численное моделирование переключения высоковольтного GaAs-диода в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными. Показано, что эффект длительного (до 100 ns) самоподдержания проводящего состояния диода после переключения обусловлен возникновением в электронно-дырочной плазме узких (порядка микрометра) ионизирующих доменов Ганна - так называемых коллапсирующих доменов. Ударная ионизация в коллапсирующих доменах и в краевых (катодном и анодном) доменах сильного электрического поля (~ 300 kV/cm) поддерживает высокую концентрацию неравновесных носителей (≥ 1017 сm-3) в течение всей длительности импульса приложенного напряжения обратной полярности. Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, lock-on эффект, эффект Ганна.
  1. High-power optically activated solid-state switches, ed. by A. Rosen, F. Zutavern (Artech House, Boston-London, 1994)
  2. С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев, Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2016)
  3. А.В. Рожков, М.С. Иванов, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 48 (16), 25 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.16.53203.19271
  4. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, J. Appl. Phys., 97 (2), 024502 (2005). DOI: 10.1063/1.1839638
  5. S. Selberherr, Analysis and simulation of semiconductor devices (Springer-Verlag, Wien-N.Y., 1984)
  6. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moilanen, IEEE Trans. Electron Dev., 57 (4), 733 (2010). DOI: 10.1109/TED.2010.2041281
  7. M.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, I.V. Smirnova, P.B. Rodin, J. Appl. Phys., 131 (1), 014502 (2022). DOI: 10.1063/5.0077092
  8. М.С. Иванов, В.И. Брылевский, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 47 (13), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51119.18794 [M.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, P.B. Rodin, Tech. Phys. Lett., 47, 661 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021070087]
  9. H. Benda, E. Spenke, Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967). DOI: 10.1109/PROC.1967.5834
  10. L. Hu, J. Su, Z. Ding, Q. Hao, X. Yuan, J. Appl. Phys., 115 (9), 094503 (2014). DOI: 10.1063/1.4866715
  11. И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов, А.Д. Королёва, О.П. Толбанов, Письма в ЖТФ, 44 (11), 21 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254 [I.A. Prudaev, M.G. Verkholetov, A.D. Koroleva, O.P. Tolbanov, Tech. Phys. Lett., 44, 465 (2018). DOI: 10.1134/S106378501806007X]
  12. I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (8), 3339 (2018). DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
  13. I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme